中国科学院半导体研究所李志聪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111931B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510580121.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件是由李志聪;张逸韵;姚然;杨华;伊晓燕;王军喜设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件，氧化镓半导体器件结构包括p型氮化镓衬底和氧化镓外延层，p型氮化镓衬底包括基础衬底和位于基础衬底上的p型氮化镓层，基础衬底为蓝宝石衬底或硅衬底；氧化镓外延层生长于p型氮化镓衬底的p型氮化镓层上。本发明的氧化镓半导体器件结构形成p‑GaNn‑Ga2O3异质结结构，通过异质结结构的能带工程，可形成空穴势垒，抑制电子反向注入，提高整流比（理想因子1.5）。利用成熟p‑GaN技术解决p‑Ga2O3难以制备而无法形成pn结器件的难题，通过能带工程和界面优化，显著提高器件耐压与效率。
本发明授权一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓半导体器件结构，其特征在于，包括： p型氮化镓衬底，所述p型氮化镓衬底包括基础衬底和位于所述基础衬底上的p型氮化镓层，所述基础衬底为蓝宝石衬底或硅衬底，所述p型氮化镓层上形成有周期性图形结构，所述周期性图形结构为周期性排列的条形结构、圆形结构、方形结构或三角形结构中的一种，所述周期性图形结构在所述p型氮化镓层上的占空比为1：1~1：3，所述周期性图形结构的深度为300~500纳米，所述周期性图形结构的排列周期为2~5微米，所述周期性图形结构的侧壁边缘形成为50°~70°的倾角； 氧化镓外延层，所述氧化镓外延层生长于所述p型氮化镓衬底的所述p型氮化镓层上，所述氧化镓外延层与所述p型氮化镓层形成p-GaN-Ga2O3异质结结构，通过异质结结构的能带工程形成空穴势垒。
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