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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于片内偏置磁场的MEMS磁电天线及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119994456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510461377.5，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权一种基于片内偏置磁场的MEMS磁电天线及其制备方法和应用是由马志波;王远航;郭效丁;王熠楠;宋恩重设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于片内偏置磁场的MEMS磁电天线及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于片内偏置磁场的MEMS磁电天线及其制备方法和应用，属于磁电天线技术领域。针对现有技术中MEMS磁电天线无法在芯片内部提供偏置磁场以实现小型化，以及制备所需键合温度高的问题，本发明中的MEMS磁电天线从下往上依次包括底部衬底、天线基底、天线端帽和顶部封盖；底部衬底、天线基底、天线端帽和顶部封盖之间设有MEMS偏置线圈型腔；天线基底、天线端帽之间设有天线敏感结构。本发明通过在MEMS磁电天线芯片中集成微米级的MEMS螺线管线圈，为天线提供偏置磁场，使其具有最佳的性能和微小的体积；此外，该MEMS磁电天线在低于磁电复合材料居里温度的低温环境下进行天线的真空封装，不会影响磁电复合材料的性能，并且显著降低了空气阻尼。

本发明授权一种基于片内偏置磁场的MEMS磁电天线及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于片内偏置磁场的MEMS磁电天线，其特征在于：所述MEMS磁电天线从下往上依次包括底部衬底（1）、天线基底（2）、天线端帽（3）和顶部封盖（4）； 底部衬底（1）、天线基底（2）、天线端帽（3）和顶部封盖（4）之间设有MEMS偏置线圈型腔； 天线基底（2）、天线端帽（3）之间设有天线敏感结构（5）； 其中，底部衬底（1）的顶面设有多个长条状的底部电极型腔（11），最外侧两个底部电极型腔（11）相互远离的一端均垂直延伸后设有MEMS偏置线圈焊盘（111）； 天线基底（2）上开设有两排与底部电极型腔（11）端部相对应的第一通孔型腔阵列（21）； 天线端帽（3）上开设有两排与第一通孔型腔阵列（21）相对应的第二通孔型腔阵列（31）； 顶部封盖（4）上开设有多个顶部电极型腔（41），每条顶部电极型腔（41）对应连接前后方向上排序相同的两个第二通孔型腔阵列（31）； 底部电极型腔（11）、第一通孔型腔阵列（21）、第二通孔型腔阵列（31）和顶部电极型腔（41）共同组成MEMS偏置线圈型腔。

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