河北同光半导体股份有限公司刘少华获国家专利权
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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利晶圆的研磨抛光加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119927788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510428647.2，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权晶圆的研磨抛光加工方法是由刘少华;郑向光;汤欢;李青璇;夏江南;刘娇设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆的研磨抛光加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆的研磨抛光加工方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1、采用边缘塌边工艺对晶圆进行一次磨削，获取半成品晶圆；S2、采用边缘凸起工艺对半成品晶圆进行二次磨削，修正半成品晶圆的厚度偏差，获取晶圆成品；步骤S1中的边缘塌边工艺和步骤S2中的边缘凸起工艺的顺序可调。本发明提供的晶圆的研磨抛光加工方法，将现有的单次研磨改为两次研磨，通过对两种研磨方法的不同加工效果进行叠加，将单次研磨加工带来的单向偏差互相抵消，从而实现更低的晶圆中心区域与边缘区域厚度偏差的加工效果，提高了晶圆表面质量的均匀性。
本发明授权晶圆的研磨抛光加工方法在权利要求书中公布了：1.晶圆的研磨抛光加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、采用边缘塌边工艺对晶圆进行一次磨削，获取半成品晶圆； S2、采用边缘凸起工艺对半成品晶圆进行二次磨削，修正半成品晶圆的厚度偏差，获取晶圆成品； 步骤S1中的边缘塌边工艺和步骤S2中的边缘凸起工艺的顺序可调； 在边缘塌边工艺中所采用的研磨液含有抛磨磨粒；在边缘凸起工艺中所采用的研磨液含有团聚磨粒，团聚磨粒在压力作用下团聚磨粒逐渐分散形成抛磨磨粒，抛磨磨粒的磨削强度大于团聚磨粒的磨削强度； 边缘塌边工艺和边缘凸起工艺均采用研磨抛光机，研磨抛光机中的研磨液随着晶圆的移动，研磨液中的磨粒从晶圆边缘区域朝向晶圆中心区域移动； 在边缘塌边工艺中，改变加工压力可调整抛磨磨粒的磨损时间，改变加工转速可调整抛磨磨粒的移动路径长短； 在边缘凸起工艺中，改变加工压力可调整团聚磨粒的分散时间，改变加工转速可调整团聚磨粒的分散路径长短。
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