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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311019567.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法是由姚佳飞;林琰琰;李昂;胡子伟;姚清;郭宇锋;蔡志匡;李曼;杨可萌;张珺;陈静;张茂林设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。凹槽为条状槽、网状槽或矩形槽等。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。

本发明授权基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于介质定位的浮空场限环功率器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、选择衬底，并依次在衬底顶部布设埋层和有源层； 步骤2、刻蚀凹槽：在有源层的顶部中心刻蚀等间距且等深度的凹槽，凹槽间凸起的有源层形成为半导体岛区； 步骤3、填充凹槽：采用介质淀积工艺，在每个凹槽中均淀积填满高K介质并平坦化，形成高K介质槽区； 步骤4、制作浮空场限环：采用离子注入，以光刻胶为掩膜，在每个半导体岛区顶部均进行P型掺杂，快速退火修复损伤，从而形成P型浮空场限环；P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度； 步骤5、制作阱区、源漏区域：采用离子注入工艺，并进行高温推进扩散，从而在有源层内形成半导体阱区、半导体接触区、半导体源区和半导体漏区；其中，半导体阱区和半导体漏区位于半导体漂移区两侧；半导体接触区和半导体源区位于半导体阱区顶部，且半导体接触区位于半导体源区外侧；在高温推进扩散过程中，步骤3填充的高K介质能防止高温工艺导致的P型浮空场限环横向扩散； 步骤6、制作场介质层：采用介质淀积工艺在有源层顶部再淀积一层与步骤3中高K介质同质的高K介质，作为场介质层并平坦化； 步骤7、刻蚀源漏接触孔：在场介质层中刻蚀源漏接触孔，源漏接触孔包括源接触孔和漏接触孔；其中，源接触孔与半导体接触区和半导体源区相接触，漏接触孔与半导体漏区接触； 步骤8、制备金属电极：在源接触孔内沉积源极金属，在漏接触孔内沉积漏极金属；在半导体源区和半导体漂移区之间的半导体阱区正上方的场介质层顶面沉积栅极金属；其中，栅极金属正下方的场介质形成为栅介质层。

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