中国电子科技集团公司第五十八研究所徐大为获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211020083.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法是由徐大为;徐蓓蕾;曹利超;施辉;徐何军;王印权;吴建伟;葛超洋;黄天设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，包括如下步骤：首先提供P型外延层，在P型外延层上依次形成二氧化硅层和氮化硅层；接着刻蚀形成STI隔离槽，对STI隔离槽底部和侧壁注入氮和氧；然后进行高温退火，使用LPCVD再生长一层氮化硅；填充HDP介质并退火，并对HDP介质进行平坦化；最后进行Flash高压阱注入、隧道氧化生长、浮栅多晶淀积、ONO淀积、控制栅多晶淀积、多晶刻蚀、LDD注入、侧墙淀积及刻蚀、源漏注入，后续工艺遵循通用的0.13μmFlash工艺制程。本发明提供的方法中STI侧壁形成的NON结构稳定，不受后续工艺制造热过程的影响；与通用的Flash工艺兼容型强。
本发明授权一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：提供P型外延片，在所述外延片上生长一层牺牲氧化层，然后湿法去除后，再依次形成二氧化硅层和氮化硅层； 步骤S2：使用有源区光罩，刻蚀形成STI隔离槽； 步骤S3：对所述STI隔离槽底部和侧壁依次注入氮和氧，然后进行高温退火，高温退火后在STI隔离槽侧壁和底部自外而内形成二氧化硅层和氮化硅层； 步骤S4：使用LPCVD生长一层氮化硅； 步骤S5：填充HDP介质并退火，然后对HDP介质进行平坦化； 步骤S6：进行Flash高压阱注入、隧道氧化生长、浮栅多晶淀积、ONO淀积、控制栅多晶淀积、多晶刻蚀、LDD注入、侧墙淀积及刻蚀、源漏注入，后续工艺遵循通用的0.13μmFlash工艺制程。
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