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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管合成的等效电感电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115296660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210897665.1，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管合成的等效电感电路是由张万荣;吴银烽;那伟聪;任衍贵;王晓雪;高文静;李楠星设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管合成的等效电感电路在说明书摘要公布了：一种基于金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管合成的等效电感电路，涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元1、第二跨导单元2、第一偏置单元3、第二偏置单元4、第一反馈电阻单元5、第三跨导单元6、第四跨导单元7、第三偏置单元8、第四偏置单元9和第二反馈电阻单元10。第一跨导单元、第一反馈电阻单元和第二跨导单元构成第一回路，第三跨导单元、第二反馈电阻单元和第四跨导单元构成第二回路，且第一回路和第二回路有共同的输入端Zin、电源端VDD和地端GND，构成并联关系。最终该等效电感电路实现了高Q值、大电感值、高的L值线性度和较低噪声的综合性能。

本发明授权一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管合成的等效电感电路在权利要求书中公布了：1.一种基于金属-氧化物-半导体MOS场效应晶体管合成的等效电感电路，其特征在于，由第一跨导单元1、第二跨导单元2、第一偏置单元3、第二偏置单元4、第一反馈电阻单元5、第三跨导单元6、第四跨导单元7、第三偏置单元8、第四偏置单元9以及第二反馈电阻单元10构成； 其中，所述的第一跨导单元1包括第一N型MOS晶体管M1；第二跨导单元2包括第二N型MOS晶体管M2、第三N型MOS晶体管M3、具有第一电压偏置端Vbias1的第四N型MOS晶体管M4和第五N型MOS晶体管M5；第一偏置单元3包括具有第二电压偏置端Vbias2的第六N型MOS晶体管M6；第二偏置单元4包括第一无源电阻R1、第七P型MOS晶体管M7和第八P型MOS晶体管M8；第一反馈电阻单元5包括第二无源电阻R2和具有第三电压偏置端Vbias3的第九N型MOS晶体管M9；第三跨导单元6包括第十N型MOS晶体管M10；第四跨导单元7包括具有第四电压偏置端Vbias4的第十一N型MOS晶体管M11和第十二N型MOS晶体管M12；第三偏置单元8包括第十三N型MOS晶体管M13；第四偏置单元9包括具有第五电压偏置端Vbias5的第十四P型MOS晶体管M14；第二反馈电阻单元10包括第三无源电阻R3和具有第六电压偏置端Vbias6的第十五N型MOS晶体管M15； 所述的一种基于金属-氧化物-半导体MOS场效应晶体管合成的等效电感电路的输入端Zin同时连接第一N型MOS晶体管M1的源极、第三N型MOS晶体管M3的栅极、第六N型MOS晶体管M6的漏极、第十N型MOS晶体管M10的源极、第十二N型MOS晶体管M12的栅极以及第十三N型MOS晶体管M13的漏极；第一N型MOS晶体管M1的漏极与电源端VDD相连，第一N型MOS晶体管M1的栅极同时连接第二无源电阻R2的第一端以及第九N型MOS晶体管M9的源极；第二N型MOS晶体管M2的漏极同时连接第八P型MOS晶体管M8的漏极、第二无源电阻R2的第二端以及第九N型MOS晶体管M9的漏极，第二N型MOS晶体管M2的栅极同时连接第四N型MOS晶体管M4的源极以及第五N型MOS晶体管M5的漏极，第二N型MOS晶体管M2的源极同时连接第三N型MOS晶体管M3的漏极以及第五N型MOS晶体管M5的栅极；第三N型MOS晶体管M3的源极与地端GND相连；第四N型MOS晶体管M4的漏极与电源端VDD相连，第四N型MOS晶体管M4的栅极与第一电压偏置端Vbias1相连；第五N型MOS晶体管M5的源极与地端GND相连；第六N型MOS晶体管M6的栅极与第二电压偏置端Vbias2相连，第六N型MOS晶体管M6的源极与地端GND相连；第七P型MOS晶体管M7的源极与电源端VDD相连，第七P型MOS晶体管M7的栅极同时连接第八P型MOS晶体管M8的栅极以及第一无源电阻R1的第一端，第七P型MOS晶体管M7的漏极与第一无源电阻R1的第一端相连；第八P型MOS晶体管M8的源极与电源端VDD相连；第一无源电阻R1的第二端与地端GND相连；第九N型MOS晶体管M9的栅极与第三电压偏置端Vbias3相连；第十N型MOS晶体管M10的漏极与电源端VDD相连，第十N型MOS晶体管M10的栅极同时连接第三无源电阻R3的第二端以及第十五N型MOS晶体管M15的源极；第十一N型MOS晶体管M11的漏极同时连接第三无源电阻R3的第一端、第十五N型MOS晶体管M15的漏极以及第十四P型MOS晶体管M14的漏极，第十一N型MOS晶体管M11的栅极与第四电压偏置端Vbias4相连，第十一N型MOS晶体管M11的源极同时连接第十二N型MOS晶体管M12的漏极以及第十三N型MOS晶体管M13的栅极；第十二N型MOS晶体管M12的源极与地端GND相连；第十三N型MOS晶体管M13的源极与地端GND相连；第十四P型MOS晶体管M14的栅极与第五电压偏置端Vbias5相连，第十四P型MOS晶体管M14的源极与电源端VDD相连；第十五N型MOS晶体管M15的栅极与第六电压偏置端Vbias6相连。

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