买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210390576.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法是由于新;王信;玛丽娅·黑尼;刘默寒;李小龙;李豫东;郭旗设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合G‑R噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方程数据的最佳拟合提取E a 步骤完成。本发明所述方法与其他方法相比优势为：低频噪声测试系统由通用分立仪器组成，不需要额外的系统定制，是相对容易实现的测试技术；该测试接口与半导体参数测试系统兼容，与半导体测试系统的软硬件可集成；该方法适用性更强，普遍适用于商用成品器件；噪声功率谱密度为大量噪声信号采样值的统计结果，具有更低的测试误差。

本发明授权一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，其特征在于按下列步骤进行： a、选取漏极电流ID作为GaN功率器件低频噪声的分析对象； b、确定GaN功率器件，选择静态工作点作为低频噪声测试的偏置条件； c、获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度：基于1f噪声测试系统获得不同温度下ID的噪声功率谱密度，测试频率至少覆盖101-105Hz范围； d、提取不同温度下的产生-复合G-R噪声：先排除噪声功率谱密度中热噪声的影响，再提取不同温度下的复合G-R噪声特性； e、获得不同温度下G-R噪声的峰值频率； f、基于G-R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程； 式中T为开尔文温度，单位是K；τ为G-R中心发射率；K为玻尔兹曼常数，K≈1.380649×10-23JK；Ea为缺陷激活能，单位是eV；f为NPSD峰值频率，单位是Hz，Γ为温度常数项，σ为陷阱俘获截面； g、基于Arrhenius方程数据，基于不同温度下G-R噪声峰值频率，得到若干组InT2·τ、1KT数据，其最佳拟合直线的斜率为Ea； 具体参考公式2-公式7，建立Arrhenius方程： 其中τ为G-R中心发射率；σ为陷阱俘获截面；v为平均热速率；Nc为导带边缘有效态密度；g为能级简并度；Ea为缺陷激活能，单位是eV；K为玻尔兹曼常数，K≈1.380649×10-23JK；T为开尔文温度，单位是K；Nc和v可用公式3表示： MC为等效导带极小值数量；m*为载流子有效质量；h为普朗克常数，h≈6.6260755×10- 34J·s； 将公式3带入公式2，1τ可表示为：， Γ为温度常数项，令Γ为公式5， 将公式5带入公式4，1τ可表示为， 将公式6转换为对数形式，建立形式如下的Arrhenius方程， f为频率，单位是Hz； 根据步骤g提取Ea，将步骤e获得n个温度下的NPS峰值，即fc1,T1、fc2,T2…fcn,Tn，带入公式7，在X-Y二维平面上画出n个点， 采用最佳拟合方法将n个点拟合成直线，Ea为直线斜率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院新疆理化技术研究所，其通讯地址为：830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。