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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所田思聪获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利高速面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114784624B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210381462.7,技术领域涉及:H01S5/183;该发明授权高速面发射激光器及其制备方法是由田思聪;潘绍驰;韩赛一;徐汉阳;王子烨;陆寰宇;汪丽杰;佟存柱;王立军设计研发完成,并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

高速面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种高速面发射激光器及其制备方法,其中的高速面发射激光器包括从下至上依次制备的N型衬底、N型接触层、N型限制层、下可氧化层、有源层、上可氧化层、P型限制层和P型接触层,在P型接触层和部分P型限制层内或在P型限制层内刻蚀形成拓扑非平庸态光子晶体和拓扑平庸态光子晶体,拓扑非平庸态光子晶体被拓扑平庸态光子晶体所包围,拓扑非平庸态光子晶体形成两个谐振腔和耦合两个谐振腔的耦合通道。本发明通过两个谐振腔的光子‑光子共振效应,可以突破面发射激光器谐振腔产生的载流子‑光子共振导致的驰豫振荡频率限制,进而拓展带宽,提高面发射激光器的调制带宽。

本发明授权高速面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高速面发射激光器,包括从下至上依次制备的N型衬底、N型接触层、N型限制层、有源层、P型限制层和P型接触层,在所述P型接触层和部分所述P型限制层内或在所述P型限制层内刻蚀形成拓扑非平庸态光子晶体和拓扑平庸态光子晶体,所述拓扑非平庸态光子晶体被所述拓扑平庸态光子晶体所包围;其特征在于,所述拓扑非平庸态光子晶体形成两个谐振腔和耦合两个谐振腔的耦合通道;通过质子注入方式在耦合通道处实现高阻区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,其通讯地址为:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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