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龙图腾网获悉昆明龙创新辉科技有限公司申请的专利一种离子门及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210368509.6，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种离子门及其控制方法是由王灿;李娟;陈桂坤;邵兰设计研发完成，并于2022-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子门及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种离子门及其控制方法，该离子门包括离子门固定框架、离子门IG‑A、绝缘环、离子门IG‑B和压盘，通过合理的配置TP型离子门的物理位置和极板电位，选择形成具有离子阻碍作用的关门电场分量，提高离子门的关门效率，控制电源取自高压，无需附加辅助电源；该离子门采用TP型结构，并且使用长方形的栅格，而非平行栅；分别采用开门和关门两个控制信号进行离子控制，有效压缩了通过离子门的离子子群厚度，消除了关门状态下传统BN门清空区的影响，提高了离子检测的分辨率，在不增加系统复杂性的情况下，在传统TP型离子门结构中提高了IMS仪器的主要性能指标，带来良好的效益。

本发明授权一种离子门及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种离子门组件，其特征在于：包括离子门固定框架、离子门IG-A、绝缘环、离子门IG-B和压盘； 离子门固定框架呈环状，中间轴向设有内圆腔，直径与漂移管内径匹配，外径开设能通过气流的导气槽及进气孔； 离子门IG-A和离子门IG-B包括设于边框上的纵横交错的栅网，离子门IG-A和离子门IG-B平行设于离子门固定框架中，使得两个离子门的栅网位置交错，网格密度加倍，离子控制栅形状为长方形筛孔； 绝缘环设于离子门IG-A和离子门IG-B的边框之间；压盘将离子门IG-A和离子门IG-B固定于离子门固定框架上； 离子门IG-A靠近离子源一侧，连接低电势的控制电极，指离子门IG-B靠近离子接收电极一侧，连接高电势的控制电极，电场穿过离子门固定框架和纵横交错的栅网； 离子门固定框架一个端面开6-8个安装孔，内嵌钢丝螺套，还开设2-4个定位孔；压盘为环形组件，环上设置有6-8个安装孔，安装孔为沉孔设计，螺丝头完全沉入孔内，压盘还开设2-4个定位孔； 开门信号控制离子门的开门时刻及开门的时间长度，关门信号控制离子门的关门时刻，消除关门状态下离子门IG-B附近清空区的影响； 第一光电隔离器件U1一侧二极管输入端通过连接器JK2与电源VCC端连接，二极管输出端通过连接器JK3与关门控制端连接，一侧输出端与第一二极管电桥DB1引脚1连接，另一侧输出端与第一二极管电桥DB1引脚2连接； 第二光电隔离器件U2一侧二极管输入端通过连接器JK2与电源VCC端连接，二极管输出端通过连接器JK1与开门控制端连接，一侧输出端端与第二二极管电桥DB2引脚1连接，另一侧输出端与第二二极管电桥DB2引脚2连接； 第二二极管电桥DB2引脚4与电阻RG5一端连接，还与离子门IG-A连接，引脚3与LD2连接，第二光电隔离器件U2的导通，最终导致二极管桥DB2短路，迫使RG2两端的电压为零，实现开门操作；第一二极管电桥DB1引脚3一端与电阻RG5另一端连接，还与电阻RG1、电阻RG2一端连接，引脚4与电阻RG2、电容CG1、离子门IG-B、LD2连接；LD1还与电阻RG1另一端、电容CG1另一端连接，电阻RG1另一端与电阻RG2连接；第一光电隔离器件U1的导通，最终导致二极管桥DB1接通，电容CG1与电阻RG1、电阻RG5回路接通，实现关门操作。

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