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龙图腾网获悉南京微盟电子有限公司申请的专利一种电感电流峰值检测电路及其检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114371333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111649344.1，技术领域涉及：G01R19/04；该发明授权一种电感电流峰值检测电路及其检测方法是由鲁扬;张洪俞;朱敏元设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电感电流峰值检测电路及其检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电感电流峰值检测电路及其检测方法，采用直接对输入电流信号进行采样处理并控制输出电流信号维持在该周期的峰值电流附近，包括第一电流单元和第二电流单元，第一电流单元用于接收变化的输入电流并跟随，并传递到第二电流单元，第二电流单元自动检测第一电流单元的输出电流即第二电流单元的输入电流向上变化到最大值所对应的时刻，将该时刻输入电流的最大值锁存并输出。

本发明授权一种电感电流峰值检测电路及其检测方法在权利要求书中公布了：1.一种电感电流峰值检测电路，其特征在于，包括第一电流单元和第二电流单元； 第一电流单元用于跟随输入电流并传送到第二电流单元；第一电流单元包括NMOS管NM1、NMOS管NM2和NMOS管NM3，MOS管NM1的漏极和栅极以及NMOS管NM2的栅极和NMOS管NM3的栅极连接在一起并与输入电感电流I_in相连接，NMOS管NM1的源极、NMOS管NM2的源极和NMOS管NM3的源极均接地； 第二电流单元用于检测第一电流单元输出电流变化过程中的最大值并锁存输出；第二电流单元包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5和PMOS管PM6以及电阻R1、电容C1、反相器INV1和反相器INV2；PMOS管PM1的栅极连接PMOS管PM2的漏极并连接第一电流单元中NMOS管NM2的漏极，PMOS管PM1的漏极接地，PMOS管PM2的源极与电阻R1的一端、电容C1的一端、PMOS管PM4的源极以及PMOS管PM5的源极和PMOS管PM6的源极连接在一起并连接VCC，电阻R1的另一端连接PMOS管PM3的源极，PMOS管PM2的栅极与PMOS管PM3的漏极、PMOS管PM1的源极、电容C1的另一端以及PMOS管PM5的栅极和PMOS管PM6的栅极连接在一起，PMOS管PM3的栅极连接反相器INV2的输出，反相器INV2的输入连接反相器INV1的输出和PMOS管PM4的栅极，PMOS管PM4的漏极连接反相器INV1的输入端以及PMOS管PM5的漏极和第一电流单元中NMOS管NM3的漏极，PMOS管PM6的漏极为第二电流单元的电流输出端，输出电流的最大值即电感电流峰值Ipk。

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