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无锡中微亿芯有限公司曹正州获国家专利权

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龙图腾网获悉无锡中微亿芯有限公司申请的专利flash型FPGA的基于逻辑工艺的电平转换电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114285405B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111582292.0,技术领域涉及:H03K19/17704;该发明授权flash型FPGA的基于逻辑工艺的电平转换电路是由曹正州;单悦尔;季振凯;孙静;贺春燕;李光明设计研发完成,并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

flash型FPGA的基于逻辑工艺的电平转换电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种flash型FPGA的基于逻辑工艺的电平转换电路,涉及flash型FPGA领域,该电平转换电路通过三个转换模组进行三级电平转换,第一级转换模组用于将输入的VDD‑GND电压域的第一信号转换为VP1‑GND电压域的第二信号,中间级转换模组用于将输入的VP1‑GND电压域的第二信号转换为VP1‑VN电压域的第三信号,驱动级转换模组用于将输入的VP1‑VN电压域的第三信号转换为VP2‑VN电压域的驱动信号,并输出驱动的字线,降低了每级转换的压力,保证了驱动下一级的能力,提高了转换速度,并且最后一级提供了较大的驱动能力。

本发明授权flash型FPGA的基于逻辑工艺的电平转换电路在权利要求书中公布了:1.一种flash型FPGA的基于逻辑工艺的电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路包括依次级联的第一级转换模组、中间级转换模组和驱动级转换模组; 所述第一级转换模组用于将输入的VDD-GND电压域的第一信号转换为VP1-GND电压域的第二信号输出给所述中间级转换模组;所述中间级转换模组用于将输入的VP1-GND电压域的第二信号转换为VP1-VN电压域的第三信号输出给所述驱动级转换模组;所述驱动级转换模组用于将输入的VP1-VN电压域的第三信号转换为VP2-VN电压域的驱动信号,并输出驱动flash型FPGA的字线; 控制逻辑工艺输出对应的电压组合以完成对flash型FPGA的擦除操作或编程操作,电压组合包括逻辑工艺提供的内核低电压VDD、逻辑工艺提供的中间电压VP1、逻辑工艺提供的驱动级电压VP2以及负电压VN,其中,GND为接地电压,VP2≥VP1≥VDD; 在对所述flash型FPGA执行擦除操作时,控制逻辑工艺提供的中间电压VP1和驱动级电压VP2的电压值与内核低电压VDD的电压值相等,控制逻辑工艺提供的负电压VN为flash存储单元擦除所需的负高电压LV,所述驱动级转换模组输出VP2-VN电压域的驱动信号控制字线将负高电压LV施加到flash存储单元的栅端,以完成擦除操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人无锡中微亿芯有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号B1幢2层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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