华虹半导体(无锡)有限公司许有超获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种改善薄片翘曲的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111567753.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种改善薄片翘曲的方法是由许有超;谭秀文;苏亚青设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善薄片翘曲的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善晶片翘曲的方法，提供晶片；在晶片的正面外表面形成具有第一张应力的第一膜层；在晶片的反面外表面形成具有第二张应力的第二膜层，其中第二张应力与第一张应力的方向相反，使得第二张应力抵消第一张应力。本发明增大了晶片背面膜层的张应力，部分抵消了正面膜层的张应力，降低晶圆整体的应力，使得晶圆不会发生翘曲，不影响之后的加工。
本发明授权一种改善薄片翘曲的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善晶片翘曲的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供做完减薄工艺后的晶片； 步骤二、在所述晶片的正面形成具有第一张应力的第一膜层，所述第一膜层为钝化层、聚酰亚胺层、金属层和沟槽层中的至少一种； 步骤三、在所述晶片的背面形成具有第二张应力的第二膜层，所述第二膜层为金属层，所述第二膜层的成型方法为以金属靶进行溅射，使得所述金属靶的原子淀积在所述晶片的背面，所述溅射以取消其过程中的氮气，使得所述第二张应力增大，其中所述第二张应力与所述第一张应力的方向相反，使得所述第二张应力抵消所述第一张应力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号