武汉天马微电子有限公司宪梦洋获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司申请的专利掩膜版及其制备方法、显示面板、显示装置和光刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114253065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111564884.X，技术领域涉及：G03F1/76；该发明授权掩膜版及其制备方法、显示面板、显示装置和光刻设备是由宪梦洋设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版及其制备方法、显示面板、显示装置和光刻设备在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种掩膜版的制备方法、掩膜版、显示面板和光刻设备。掩膜版用于在一次曝光工艺中制备目标膜层，目标膜层包括多个位置不同的孔，至少两个孔的孔深和或孔径不同；制备方法包括：获取目标膜层的各个孔的位置、孔深和孔径参数，形成三维图案；根据三维图案和目标膜层的材料特性，获得曝光图案；根据曝光图案，计算掩膜版的空间分布图案；根据空间分布图案，制作掩膜版。本发明实施例中目标膜层的三维图案是通过掩膜版上的空间分布图案衍射出的不同光照强度的光斑光刻得到的，因此可以利用衍射原理，通过目标膜层的三维图案反向推导出掩膜版上的空间分布图案。实现了根据所需三维图案制作对应的掩膜版。
本发明授权掩膜版及其制备方法、显示面板、显示装置和光刻设备在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，所述掩膜版用于在一次曝光工艺中制备目标膜层，所述目标膜层包括多个位置不同的孔，至少两个所述孔的孔深和或孔径不同；所述制备方法包括： 获取所述目标膜层的各个所述孔的位置、孔深和孔径参数，形成三维图案； 根据所述三维图案和所述目标膜层的材料特性，获得曝光图案； 根据所述曝光图案，计算掩膜版的空间分布图案； 根据所述空间分布图案，制作掩膜版； 所述根据所述三维图案和所述目标膜层的材料特性，获得曝光图案包括： 根据各个所述孔的位置，确定所述曝光图案中的光斑位置； 根据各个所述孔的孔径、孔深和所述材料特性，确定所述曝光图案的光斑直径和光斑强度； 根据所述光斑位置、所述光斑直径和所述光斑强度，确定所述曝光图案。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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