北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所刘子易获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111529029.5，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由刘子易;朱慧珑设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底，衬底上具有依次层叠的第一源漏层、沟道层和第二源漏层，沟道层外围具有在水平方向上包围沟道层的栅介质层和栅极结构，在栅极结构的外侧壁形成间隔层，对栅极结构进行刻蚀，以减少栅极结构的厚度，形成覆盖栅极结构的牺牲结构，以及覆盖第二源漏层、牺牲结构和间隔层的覆盖层，这样牺牲结构位于第二源漏层外围，且位于间隔层内侧，之后对覆盖层进行刻蚀，得到贯穿牺牲结构的第一接触孔，去除第一接触孔底部的牺牲结构，形成位于第一接触孔下方的间隙，在第一接触孔和间隙中形成第一接触结构，实现第一接触结构的底部和栅极结构自对准，提高器件的可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底上具有依次层叠的第一源漏层、沟道层和第二源漏层；所述沟道层外围具有在水平方向上包围所述沟道层的栅介质层和栅极结构，所述栅极结构具有在水平方向延伸的第一部分和所述第一部分外围向上延伸的第二部分，所述第二部分在所述第二源漏层的外围； 在所述栅极结构的外侧壁形成间隔层； 对所述栅极结构进行刻蚀，以减少所述栅极结构的纵向尺寸； 形成覆盖所述栅极结构的牺牲结构，以及覆盖所述第二源漏层、所述牺牲结构和所述间隔层的覆盖层； 对所述覆盖层进行刻蚀，得到贯穿至所述牺牲结构的第一接触孔，去除所述第一接触孔底部的牺牲结构，形成位于所述第一接触孔下方的间隙； 在所述第一接触孔和所述间隙中形成第一接触结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号