买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种微同轴及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111513290.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种微同轴及其制备方法是由王志良;赵利芳;裘进;陆原;李佩笑;陈学志;张光瑞;张栓设计研发完成，并于2021-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微同轴及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微同轴及其制备方法，制备方法包括：在第一晶圆上制备第一导体部，并释放光刻胶；在第二晶圆上制备凹槽结构的第二导体部和所述第二导体部内的内导体，并释放光刻胶；将所述第一导体部和所述第二导体部焊接以对所述第二导体部上的凹槽进行封口形成微同轴的外导体；其中，所述内导体和所述外导体组成所述微同轴。本发明的微同轴制备方法将外导体分割为第一导体部和第二导体部，并分别制作在第一晶圆的第一端面和第二晶圆的第二端面上，第一导体部和第二导体部均未形成封闭结构，便于释放第一晶圆和第二晶圆上的光刻胶，降低了制备微同轴过程中光刻胶的释放难度。

本发明授权一种微同轴及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微同轴的制备方法，其特征在于，应用于射频芯片的集成，包括： 在第一晶圆上制备第一导体部，并释放光刻胶； 在第二晶圆上制备凹槽结构的第二导体部和所述第二导体部内的内导体，以及制备需要应用的芯片，经所述内导体连接所述芯片，并释放光刻胶； 将所述第一导体部和所述第二导体部焊接以对所述第二导体部上的凹槽进行封口形成微同轴的外导体；其中，所述内导体和所述外导体组成所述微同轴；所述第一导体部制备的外轮廓不小于所述第二导体部的外轮廓5μm；所述第一导体部制备为平面结构的铜层，所述铜层作为所述外导体的顶层，同时进行接地； 所述第一晶圆的厚度为200-300μm，所述第二晶圆的厚度为700μm，以便于采用TVS封装增强所述第一导体部和所述第二导体部互连的强度； 在第二晶圆上制备所述第二导体部包括： 在所述第二晶圆上制作平面结构的第一铜层； 在所述第一铜层上制作第二铜层，所述第二铜层包括相互平行的第一铜线和第二铜线； 在所述第二铜层上制作第三铜层和所述内导体，所述第三铜层包括相互平行的第三铜线和第四铜线，所述内导体位于所述第三铜线和所述第四铜线之间； 在所述第三铜层上制作第四铜层，所述第四铜层包括相互平行的第五铜线和第六铜线； 所述在所述第二铜层上制作第三铜层和所述内导体之前，还包括： 在所述第二铜层上制作用于支撑所述内导体的介质条；所述介质条搭接于所述第一铜线和所述第二铜线上；所述介质条在所述第一铜线和所述第二铜线的搭接长度不能隔断所述第二铜层和所述第三铜层的电性导通，以防止所述外导体对所述内导体的屏蔽失效；所述介质条的厚度为10μm；所述第一晶圆和所述第二晶圆焊接的焊料为锡； 所述凹槽结构内填充有低介电常数的填充物，以使微同轴更加结实耐用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2208号（集中办公区）；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。