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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利功率MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111499851.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率MOSFET器件及其制备方法是由周源;胡磊;王超;杨棂鑫;邢岳;王振达;罗胡瑞设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率MOSFET器件及其制备方法。该功率MOSFET器件包括：半导体基板；自半导体基板表面延伸至半导体基板中的体区，以及形成于体区内的掺杂区；体区包括作为元胞区的第一区域，以及位于第一区域周围的第二区域；穿过第一区域的第一沟槽和第二沟槽，穿过第二区域的第三沟槽，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度，第一沟槽的内壁和第二沟槽的内壁均设置有栅极介质层；位于第一沟槽内的第一金属插塞，位于第二沟槽内的第二金属插塞，以及位于第三沟槽内的第三金属插塞，第二金属插塞与第二沟槽的底部形成有肖特基结。该功率MOSFET器件可降低正向导通电压，提高器件的频率特性。

本发明授权功率MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET器件，其特征在于，包括： 半导体基板； 自所述半导体基板表面延伸至所述半导体基板中的体区，以及形成于所述体区内的掺杂区；所述体区包括作为元胞区的第一区域，以及位于所述第一区域周围的第二区域； 穿过所述第一区域的第一沟槽和第二沟槽，穿过所述第二区域的第三沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度，所述第一沟槽的内壁和所述第三沟槽的内壁均设置有栅极介质层； 位于所述第一沟槽内的第一金属插塞，位于所述第二沟槽内的第二金属插塞，以及位于所述第三沟槽内的第三金属插塞，所述第二金属插塞与所述第二沟槽的底部形成有肖特基结； 覆盖所述体区的第一层间介质层，所述第一层间介质层上设有分别对应于所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽的开口；所述第一金属插塞、所述第二金属插塞和所述第三金属插塞分别延伸至各自对应的开口内，且所述第一金属插塞、所述第二金属插塞和所述第三金属插塞的顶部至少不低于所述第一层间介质层的表面； 位于所述第一层间介质层表面的第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第一沟槽，所述第二层间介质层中设有引出口，以分别暴露所述第二金属插塞和所述第三金属插塞； 所述第一金属插塞、所述第二金属插塞和所述第三金属插塞分别独立包括： 第一金属层，所述第一金属层覆盖所述栅极介质层和所述第二沟槽内壁，并延伸至所述第一层间介质层； 第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层远离所述半导体基板的一端连接； 其中， 所述第二金属层的上表面与所述第一层间介质层的上表面相齐平； 所述第一金属层与所述第二金属层限定出容纳腔，所述容纳腔为空腔或填充第三金属层。

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