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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司申请的专利一种双面背接触太阳能电池及其背面结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111390784.X，技术领域涉及：H10F77/00；该发明授权一种双面背接触太阳能电池及其背面结构是由林文杰;邱开富;许文理;杨新强;王永谦;陈刚设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面背接触太阳能电池及其背面结构在说明书摘要公布了：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种双面背接触太阳能电池及其背面结构。背面结构包括交替设于硅衬底的背面的P型接触区域结构和N型接触区域结构，P型接触区域结构与第一导电层连接，N型接触区域结构与第二导电层连接；P型接触区域结构和N型接触区域结构中的至少一个为选择性钝化接触结构；选择性钝化接触结构包括交替设置的第一钝化接触区和第二钝化接触区；第一钝化接触区包括依次层叠设置在硅衬底上的第一掺杂层、第一钝化层和第二掺杂层；第二钝化接触区包括依次层叠设置在硅衬底上的第二钝化层、第三掺杂层和第三钝化层；第二掺杂层的厚度大于第三掺杂层的厚度，第二掺杂层和第三掺杂层的掺杂极性相同。

本发明授权一种双面背接触太阳能电池及其背面结构在权利要求书中公布了：1.一种双面背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，包括交替设于所述双面背接触太阳能电池的硅衬底的背面的P型接触区域结构和N型接触区域结构，所述P型接触区域结构与所述双面背接触太阳能电池的第一导电层连接，所述N型接触区域结构与所述双面背接触太阳能电池的第二导电层连接；所述P型接触区域结构和所述N型接触区域结构中的至少一个为选择性钝化接触结构； 所述选择性钝化接触结构包括交替设置的第一钝化接触区和第二钝化接触区；所述第一钝化接触区包括依次层叠设置在硅衬底上的第一掺杂层、第一钝化层和第二掺杂层；所述第二钝化接触区包括依次层叠设置在硅衬底上的第二钝化层、第三掺杂层和第三钝化层；所述第二掺杂层的厚度大于所述第三掺杂层的厚度，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的掺杂极性相同； 所述第一掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层的掺杂浓度，所述第一掺杂层的厚度范围为500nm-2000nm，所述第二掺杂层的厚度范围为100nm-450nm； 所述第二钝化接触区还包括设于所述硅衬底和所述第二钝化层之间的第四掺杂层，所述第一掺杂层的掺杂浓度大于或等于所述第四掺杂层的掺杂浓度。

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