DIC株式会社小池晃广获国家专利权
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龙图腾网获悉DIC株式会社申请的专利二硫化钼颗粒和润滑组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117043112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180096234.9，技术领域涉及：C01G39/06；该发明授权二硫化钼颗粒和润滑组合物是由小池晃广;狩野佑介设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本二硫化钼颗粒和润滑组合物在说明书摘要公布了：二硫化钼颗粒具有二硫化钼的2H晶体结构和3R晶体结构，二硫化钼的晶相中的上述3R晶体结构的存在比为10％以上，上述3R晶体结构的微晶尺寸为1nm以上且150nm以下，所述3R晶体结构的微晶尺寸如下算出；利用由使用Cu‑Kα射线作为X射线源的粉末X射线衍射XRD得到的谱图，基于分析式L＝Kλβcosθ，通过扩展型Rietveld分析而算出。上述式中，K为依赖于XRD光学系统入射侧和检测器侧和设置的装置常数，L为微晶的大小[m]，λ为测定X射线波长[m]，β为半值宽度[rad]，θ为衍射线的布拉格角[rad]。
本发明授权二硫化钼颗粒和润滑组合物在权利要求书中公布了：1.一种二硫化钼颗粒，其具有二硫化钼的2H晶体结构和3R晶体结构， 二硫化钼的晶相中的所述3R晶体结构的存在比为10％以上， 所述3R晶体结构的微晶尺寸为1nm以上且150nm以下，所述3R晶体结构的微晶尺寸如下算出；利用由使用Cu-Kα射线作为X射线源的粉末X射线衍射XRD得到的谱图，基于分析式L＝Kλβcosθ，通过扩展型Rietveld分析而算出， 所述式中，K为依赖于XRD光学系统和设置的装置常数，所述XRD光学系统位于入射侧和检测器侧，L为微晶的大小[m]，λ为测定X射线波长[m]，β为半值宽度[rad]，θ为衍射线的布拉格角[rad]。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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