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龙图腾网获悉上海近观科技有限责任公司申请的专利一种等离激元光学增强芯片系统及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115896257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110927835.1，技术领域涉及：C12Q1/6869；该发明授权一种等离激元光学增强芯片系统及其应用是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离激元光学增强芯片系统及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离激元光学增强芯片系统及其应用，该系统包括纳米孔芯片、集成光学芯片及图像传感器芯片，纳米孔芯片包括衬底层、激发光导入层、微腔层及金属膜，微腔层中设有至少一反应单元，反应单元包括布拉格反射镜及微腔，微腔底面设有纳米开口；集成光学芯片包括至少一光学单元，用于收集纳米开口处被激发的光学信号并处理后输出；图像传感器芯片包括至少一光电转换单元，用于接收集成光学芯片输出的光学信号并转换为电信号。本发明的等离激元光学增强芯片系统利用等离激元增强电场的放大作用，对微腔纳米开口处的分子进行高效激发，具有超高灵敏检测能力，可以实现最低单个分子的超高灵敏的光学检测，可应用于单分子检测和DNARNA测序领域。

本发明授权一种等离激元光学增强芯片系统及其应用在权利要求书中公布了：1.一种等离激元光学增强芯片系统，其特征在于，包括： 纳米孔芯片，包括衬底层、激发光导入层、微腔层及金属膜，所述激发光导入层位于所述衬底层与所述微腔层之间，所述微腔层中设有至少一反应单元，所述反应单元包括布拉格反射镜及微腔，所述微腔自所述微腔层的顶面开口，并延伸至所述微腔层的底面形成纳米开口，所述布拉格反射镜分布于所述微腔的两侧并与所述微腔间隔预设距离，所述激发光导入层中设有经由所述纳米开口与所述微腔连通的通孔，所述金属膜位于所述微腔层上表面并覆盖所述布拉格反射镜的表面及所述微腔的表面，所述金属膜包括金膜、银膜、铜膜和铂膜中的至少一种； 集成光学芯片，位于所述纳米孔芯片上方，所述集成光学芯片包括至少一光学单元，用于收集所述纳米开口处被激发的光学信号，并将收集的光学信号进行处理后输出； 图像传感器芯片，位于所述集成光学芯片上方，所述图像传感器芯片包括至少一光电转换单元，用于接收所述集成光学芯片输出的光学信号并转换为电信号。

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