爱思开海力士有限公司李宗勋获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储器设备和操作该存储器设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114627943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110869887.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器设备和操作该存储器设备的方法是由李宗勋;朴世泉设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器设备和操作该存储器设备的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。存储器设备可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路可以对多个存储器单元执行编程操作，并且可以执行编程验证操作，编程验证操作对应于在编程操作中编程的多个编程状态，每个编程验证操作包括至少一个验证循环。控制逻辑可以控制外围电路以执行验证脉冲施加操作，并且在目标验证循环计数超过对应于目标编程状态的基准计数时，可以控制外围电路以执行附加验证脉冲施加操作，并且控制逻辑可以基于验证脉冲施加操作的结果和附加验证脉冲施加操作的结果，确定对应于目标编程状态的编程验证操作的失败。附加验证脉冲施加操作的验证电压高于验证脉冲施加操作的验证电压。
本发明授权存储器设备和操作该存储器设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 多个存储器单元； 外围电路，被配置成：对所述多个存储器单元执行编程操作，并且执行编程验证操作，所述编程验证操作对应于在所述编程操作中编程的多个编程状态，每个编程验证操作包括至少一个验证循环；以及 控制逻辑，被配置成：控制所述外围电路以执行验证脉冲施加操作，并且在目标验证循环计数超过与所述多个编程状态之中的目标编程状态对应的基准计数时，控制所述外围电路以执行附加验证脉冲施加操作，所述目标验证循环计数是在与所述目标编程状态对应的所述编程验证操作中执行的验证循环的数目；以及基于所述验证脉冲施加操作的结果和所述附加验证脉冲施加操作的结果，来确定对应于所述目标编程状态的所述编程验证操作是否失败， 其中在所述附加验证脉冲施加操作中，比所述验证脉冲施加操作的验证电压高的验证电压被施加到所述存储器单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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