北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司龙茂林获国家专利权
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龙图腾网获悉北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司申请的专利等离子处理装置的多头处理腔室的压力控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110805518.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子处理装置的多头处理腔室的压力控制系统是由龙茂林;管长乐;李俊良设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子处理装置的多头处理腔室的压力控制系统在说明书摘要公布了：提供一种压力控制系统。该压力控制系统包括构件，该构件至少部分位于泵送端口内，该泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间，该泵被配置为从多头处理腔室中抽出气体。该构件可相对于泵送端口转动。该压力控制系统包括多个压力传感器。所述压力传感器中的每个压力传感器被配置为获得指示在多头处理腔室的对应头处进入多头处理腔室的气流的压力的数据。该压力控制系统包括致动器，该致动器被配置为转动所述构件以控制多头处理腔室的第一处理头处的气流的压力。
本发明授权等离子处理装置的多头处理腔室的压力控制系统在权利要求书中公布了：1.一种压力控制系统，包括： 构件，至少部分位于泵送端口内，所述泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间，所述泵被配置为从所述多头处理腔室中抽出气体，所述构件能够相对于所述泵送端口转动，所述构件包括轴，所述轴具有延伸穿过所述泵送端口的第一突出部的第一端和延伸穿过所述泵送端口的第二突出部的第二端； 多个压力传感器，所述压力传感器中的每个压力传感器被配置为获得指示在所述多头处理腔室的对应头处进入所述多头处理腔室的气流的压力的数据；以及 致动器，被配置为转动所述构件以控制所述多头处理腔室的第一头处的气流的压力，所述致动器靠近所述轴的所述第二端定位，所述致动器包括第一磁性耦合器、盖和第二磁性耦合器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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