ASM IP私人控股有限公司L.罗德里格斯获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利使用过氧化氢沉积薄膜的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113699508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110555363.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权使用过氧化氢沉积薄膜的设备是由L.罗德里格斯设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用过氧化氢沉积薄膜的设备在说明书摘要公布了：公开了一种薄膜沉积系统，以便在衬底上形成薄膜。薄膜沉积系统包括过氧化氢源。过氧化氢源包括将氢气转化为氢离子气体的电化学电池。电化学电池将氧气和水转化为液相复合物。液相复合物与氢离子气体反应以形成过氧化氢。
本发明授权使用过氧化氢沉积薄膜的设备在权利要求书中公布了：1.一种配置成在衬底上形成薄膜的反应系统，包括： 反应室，其配置为保持待处理的衬底； 第一前体源，该第一前体源配置为向衬底提供第一前体气体； 惰性气体源，该惰性气体源配置为向衬底提供惰性气体；以及 过氧化氢源，其配置为按需提供液态过氧化氢溶液，其中过氧化氢源包括： 电化学电池，其包括：多孔电解质、第一气体扩散层、第二气体扩散层、催化剂层、活性炭层、第一膜层和第二膜层； 氢源，该氢源配置为提供氢气，其中氢气穿过第一气体扩散层、催化剂层和第一膜层进入多孔电解质； 氧源，该氧源配置为提供氧气，其中氧气穿过第二气体扩散层、活性炭层和第二膜层进入多孔电解质；以及 氮源，该氮源配置为向多孔电解质提供氮N2气体； 其中，所述催化剂层将氢气转化成氢离子H+气体；并且 其中，所述活性炭层将氧气转化成形成液相HO2 -复合物的离子。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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