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龙图腾网获悉派克微电子(深圳)有限公司申请的专利具有分流孔的浪涌保护器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211572032.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有分流孔的浪涌保护器是由陈盛隆;叶敏设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有分流孔的浪涌保护器在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有分流孔的浪涌保护器，其包括N型衬底。N型衬底包括第一N型杂质掺杂区、第二N型杂质掺杂区、P型杂质掺杂区。第一N型杂质掺杂区位于N型衬底的一端，第一N型杂质掺杂区内部设置有第一分流孔，第一分流孔之间设置有间距。第二N型杂质掺杂区位于N型衬底的另一端，第二N型杂质掺杂区的内部设置有第二分流孔，第二分流孔之间设置有间距。第一分流孔和第二分流孔可分散电流，P型杂质掺杂区设置于N型衬底的中部。第一N型杂质掺杂区的一端连接有第一电极，第二N型杂质掺杂区的一端连接有第二电极。有效解决了现有的VDMOS管或某些集成电路的公共端均容易受到大电流危害的技术问题。

本发明授权具有分流孔的浪涌保护器在权利要求书中公布了：1.一种具有分流孔的浪涌保护器，其特征在于，其包括： N型衬底，其包括： 第一N型杂质掺杂区，设置于所述N型衬底的一端，所述第一N型杂质掺杂区的内部设置有第一分流孔，相邻的第一分流孔之间设置有间距，所述第一分流孔用于分散电流； 第二N型杂质掺杂区，设置于所述N型衬底的另一端，所述第二N型杂质掺杂区的内部设置有第二分流孔，相邻的第二分流孔之间设置有间距，所述第二分流孔用于分散电流； P型杂质掺杂区，设置于所述N型衬底的中部，其一端连接于所述第一N型杂质掺杂区，其另一端连接于所述第二N型杂质掺杂区； 所述第一N型杂质掺杂区的一端连接有第一电极，所述第二N型杂质掺杂区的一端连接有第二电极，用于具有分流孔的浪涌保护器从第一电极输入电流第二电极输出电流，或者具有分流孔的浪涌保护器从第二电极输入电流第一电极输出电流； 所述第一N型杂质掺杂区中部的相邻第一分流孔的间距小于所述第一N型杂质掺杂区两端的相邻第一分流孔的间距，所述第一N型杂质掺杂区中部的第一分流孔的数目大于所述第一N型杂质掺杂区两端的第一分流孔数目；或者，所述第二N型杂质掺杂区中部相邻的第二分流孔的间距小于所述第二N型杂质掺杂区两端的相邻第二分流孔的间距，所述第二N型杂质掺杂区中部的第二分流孔的数目大于所述第二N型杂质掺杂区两端的第二分流孔数目。

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