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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110522671.4，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由加藤信之设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：在半导体器件中，半导体元件40包括半导体衬底41、表面电极42和保护膜46。半导体衬底41具有有源区域410和外周区域411。表面电极42包括设置在半导体衬底41的前表面41a上的基底电极420和设置在基底电极420上的连接电极。保护膜46覆盖基底电极420的周边端部420a和连接电极421的外周边缘421b。保护膜46具有使连接电极421露出的开口46a，从而能够进行焊料连接。连接电极421的外周边缘421b和保护膜46之间的边界在平面图中位于与外周区域411相对应的位置。

本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于功率转换装置的半导体器件，包括：半导体元件（40），包括：半导体衬底（41），其具有作为元件形成区域的有源区域（410）和外周区域（411），所述有源区域（410）布置成与所述半导体衬底（41）的前表面（41a）相邻，在沿与所述半导体衬底（41）的所述前表面（41a）正交的衬底厚度方向投影的平面图中，所述外周区域（411）围绕所述有源区域（410）；表面电极（42），其包括设置在所述半导体衬底（41）的所述前表面（41a）上的基底电极（420）和设置在所述基底电极（420）上的连接电极（421）；以及保护膜（46），其覆盖所述基底电极（420）的周边端部（420a）和所述连接电极（421）的外周边缘（421b），所述保护膜（46）限定用于露出所述连接电极（421）的开口（46a），以能够实现对所述连接电极（421）的焊料连接，其中，在沿所述衬底厚度方向的所述平面图中，所述连接电极（421）的所述外周边缘（421b）和所述保护膜（46）之间的边界位于与所述半导体衬底（41）的所述外周区域（411）相对应的位置，其中所述半导体元件（40）包括氧化硅膜（45），所述氧化硅膜设置在所述半导体衬底（41）的所述前表面（41a）的整个区域中，不包括所述前表面（41a）和所述表面电极（42）彼此连接所处的连接区域，所述基底电极（420）的所述周边端部（420a）是第一周边端部，所述第一周边端部（420a）堆叠在所述氧化硅膜（45）的被所述保护膜（46）覆盖的一部分上，以及所述连接电极（421）具有第二周边端部（421a），所述第二周边端部堆叠在所述第一周边端部（420a）上并被所述保护膜（46）覆盖，其中所述连接电极（421）布置成在所述平面图中与所述基底电极（420）重合。

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