信越半导体株式会社阿贺浩司获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利SOI晶圆的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032683.7，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权SOI晶圆的制造方法是由阿贺浩司;横川功设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本SOI晶圆的制造方法在说明书摘要公布了：本发明是一种SOI晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序，其特征在于，在进行SOI层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行：第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行SOI层的表面的蚀刻；以及第2蚀刻步骤，通过使所述SOI层接触臭氧水而在SOI层的表面形成氧化膜，再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除氧化膜，而进行SOI层的表面的蚀刻，以第1蚀刻步骤中的SOI层的加工余量比第2蚀刻步骤中的SOI层的加工余量少的方式，进行第1蚀刻步骤及第2蚀刻步骤的蚀刻。由此，能够提供一种SOI晶圆的制造方法，其在SOI膜厚调整中，能够兼顾控制蚀刻加工余量和实现SOI膜厚的优异的面内均匀性。
本发明授权SOI晶圆的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序，其特征在于， 在进行所述SOI层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行： 第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行所述SOI层的表面的蚀刻；以及 第2蚀刻步骤，通过使所述SOI层接触臭氧水而在所述SOI层的表面形成氧化膜，再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除所述氧化膜，而进行所述SOI层的表面的蚀刻， 以所述第1蚀刻步骤中的所述SOI层的加工余量比所述第2蚀刻步骤中的所述SOI层的加工余量少的方式，进行所述第1蚀刻步骤及所述第2蚀刻步骤的蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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