科洛斯巴股份有限公司赵星贤获国家专利权
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龙图腾网获悉科洛斯巴股份有限公司申请的专利利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006606.4，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符是由赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置420，其中与电阻开关层324接触的电极322具有大于2nm的均方根表面粗糙度425、427，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑0.1至0.1的范围内。半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
本发明授权利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 基板；以及 多个双端电阻开关装置，设置在半导体的所述基板上，所述多个双端电阻开关装置分别包括： 第一电极、开关层、粒子施主层以及第二电极， 其中，所述第一电极包括与所述开关层接触的均方根表面粗糙度大于2nm的表面， 所述开关层具有标称厚度，并且所述开关层的厚度的变化在2％至20％的范围内，其中，所述开关层具有横向宽度，并且所述开关层的横向宽度的变化在5％至20％的范围内， 所述粒子施主层设置在所述开关层上并与所述开关层接触，并且 其中，所述多个双端电阻开关装置中的第一双端电阻开关装置和所述多个双端电阻开关装置中的第二双端电阻开关装置的本征特性的相关系数在-0.1至0.1的范围内， 其中，所述本征特性为本征未编程电阻、本征未编程电流、本征编程电压、本征编程速度、程序电阻、擦除电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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