中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金成昱获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利套刻测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114967349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110189290.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻测量装置是由金成昱;梁贤石;林锺吉;金在植;张成根;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻测量装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种套刻测量装置，该套刻测量装置包括测量室、测量机构和调控机构，测量室用于放置具有套刻标记的晶圆，测量机构设置在测量室内，用于测量晶圆的套刻标记，调控机构用于调控测量室的温度。具体地，当需要对晶圆进行检测时，将晶圆放置在测量室内，利用调控机构对测量室内的温度进行调节，使得测量室内维持在一定的温度，以满足测量机构的测量需求，测量机构对晶圆上的套刻标记进行测量，由于测量室内的温度符合测量需求，避免了温度对测量数据的影响，使得数据误读的情况得到了消除，从而准确地反映出晶圆的加工质量。
本发明授权套刻测量装置在权利要求书中公布了：1.一种套刻测量装置，其特征在于，所述套刻测量装置包括： 测量室，所述测量室用于放置具有套刻标记的晶圆； 测量机构，所述测量机构设置在所述测量室内，用于测量所述晶圆的所述套刻标记； 调控机构，所述调控机构用于调控所述测量室的温度； 所述调控机构包括： 气源，所述气源通过管路与所述测量室连通，所述气源用于向所述测量室提供具有温度的气体，以将所述测量室的温度维持在预设温度，所述气源内存储的所述气体的温度高于所述测量室的温度； 控制组件，所述控制组件用于接通或关闭所述管路； 所述测量机构为具有聚焦系统的干涉计。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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