广东中图半导体科技股份有限公司张剑桥获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011314754.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片是由张剑桥;肖桂明;陆前军设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。该掺杂量子点的图形化衬底制备方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点。本发明实施例解决了传统白光LED中荧光粉可靠性较低的问题，不仅可使异质微结构实现了光线激发转换LED颜色的功能，减少了封装过程中涂覆荧光粉的工艺步骤；同时还可以使量子点密封于异质微结构中，隔绝外部环境，克服传统涂覆荧光粉易于老化脱落的缺点，有助于实现色彩还原度好、抗老化变黄的白光LED。
本发明授权一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种掺杂量子点的图形化衬底制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底基板； 在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点； 对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点； 所述异质微结构的异质材料包括透明的氧化物、氮化物、单质中的至少一种； 在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点，包括： 将异质材料沉积在所述衬底基板上，同时向沉积气体中动态注入量子点，形成所述异质层。
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