深圳市拓展光电有限公司魏峰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市拓展光电有限公司申请的专利一种紫外LED封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011215688.7，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权一种紫外LED封装结构及封装方法是由魏峰;刘克义;裘金阳设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外LED封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本申请涉及紫外器件技术领域，公开了一种紫外LED封装结构及封装方法，该封装结构包括：基板、LED芯片、玻璃盖板，所述LED芯片置于所述基板平面上，所述基板的平面设置凹槽，所述凹槽封闭式包围所述LED芯片且不低于所述基板平面，所述玻璃盖板设置有边框，所述边框与所述凹槽相匹配。通过上述方式，可有效降低生产成本，增大紫外LED出光面积，有效提高出光功率。
本发明授权一种紫外LED封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED封装结构，其特征在于，包括：基板、LED芯片、玻璃盖板，所述LED芯片置于所述基板平面上，所述基板的平面设置凹槽，所述凹槽封闭式包围所述LED芯片且不低于所述基板平面，所述玻璃盖板设置有边框，所述边框与所述凹槽相匹配； 所述凹槽内点有粘接剂，用于加固所述凹槽与所述边框的匹配； 所述基板为平面镀金属层陶瓷基板； 所述基板放置LED芯片的区域设有增厚镀金属层； 所述LED芯片采用倒装LED芯片技术进行共晶无机焊接； 所述凹槽的表面设有金属镀层； 增大所述基板上LED芯片放置区域和所述凹槽表面的镀金属厚度以增大紫外LED器件的出光角度，有效增大光功率； 其中，所述基板的金属镀层具有散热和导电的作用； 所述凹槽由粘接剂和所述金属镀层构成，所述粘接剂粘接所述玻璃盖板边框和金属镀层。
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