半导体元件工业有限责任公司A·巴纳尔吉获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010215698.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权电子器件是由A·巴纳尔吉;P·莫恩斯设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件在说明书摘要公布了：本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件，并且该电子器件可以包括HEMT。在实施方案中，该HEMT可以包括栅极电极、漏极电极和存取区域。该存取区域可以包括更靠近栅极电极的第一部分和更靠近漏极电极的第二部分。下介电膜可以覆盖存取区域的一部分，并且上介电区域可以覆盖存取区域的另一部分。在另一实施方案中，介电膜可以具有相对正或负电荷以及变化的厚度。在另一实施方案中，HEMT可以包括栅极互连，该栅极互连穿过接触开口延伸到栅极电极。
本发明授权电子器件在权利要求书中公布了：1.一种包括高电子迁移率晶体管的电子器件，所述电子器件包括： 栅极电极； 漏极电极； 存取区域，所述存取区域包括更靠近所述栅极电极的第一部分和更靠近所述漏极电极的第二部分； 第一介电膜，所述第一介电膜包括第一材料并且覆于所述存取区域的所述第一部分上而不覆于所述存取区域的所述第二部分上，其中所述第一介电膜是带负电的介电膜并且包括Si3N4、SiOkNl、AlN、AlOrNs或提供所述带负电的介电膜的另一含氮介电材料，其中kl，其中rs； 第二介电膜，所述第二介电膜包括第二材料并覆于所述存取区域的所述第二部分上，其中所述第二材料不同于所述第一材料，并且所述第二介电膜是带正电的介电膜并且包括Al2O3、AlOtNu、SiO2、HfO2、SiOmNn或提供所述带正电的介电膜的另一含氧介电材料，其中tu，其中mn； 层间介电层，覆于所述第一介电膜和所述第二介电膜上；以及 栅极互连件，延伸通过所述层间介电层中的开口并接触所述栅极电极。
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