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龙图腾网获悉深圳市圣柏林橡塑电子有限公司申请的专利一种PI电热片和碳化硅的无胶对接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120245450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510706700.0，技术领域涉及：B29C65/72；该发明授权一种PI电热片和碳化硅的无胶对接方法是由朱志林设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PI电热片和碳化硅的无胶对接方法在说明书摘要公布了：本申请涉及晶圆加热盘生产的技术领域，尤其涉及一种PI电热片和碳化硅的无胶对接方法。方法包括：第一真空度下将蚀刻处理后的PI电热片与热熔处理后的碳化硅基板进行定位销对齐；以第一预设温度对PI电热片及碳化硅基板进行加热，形成初级复合体；在初级复合体的两面分别设置氟胶发泡片，通过第二预设温度分阶段加压融合，生成PI胶层，形成次级复合体；移除所有氟胶发泡片，在第二真空度下对次级复合体实施超声波打靶处理，以第三预设温度对打靶处理后的次级复合体进行热压致密化，对热压后复合体执行气动吸附及梯度降温；循环实施加压融合与热压致密化工序，直至得到复合成品。本申请避免了因胶层耐热性不足而产生的加热限制。

本发明授权一种PI电热片和碳化硅的无胶对接方法在权利要求书中公布了：1.一种PI电热片和碳化硅的无胶对接方法，其特征在于，所述方法包括： 调节环境至第一真空度，在所述第一真空度下将蚀刻处理后的PI电热片与热熔处理后的碳化硅基板进行定位销对齐； 采用非接触式热辐射方式以第一预设温度对所述PI电热片及碳化硅基板进行加热，形成初级复合体； 在所述初级复合体的碳化硅底面及PI表面分别设置厚度差异化的氟胶发泡片，通过第二预设温度分阶段加压融合，以活化所述PI电热片自生成PI胶层，形成次级复合体； 移除所有所述氟胶发泡片，在第二真空度下对所述次级复合体实施超声波打靶处理，以第三预设温度对打靶处理后的次级复合体进行热压致密化，对热压后复合体执行气动吸附及梯度降温； 循环实施加压融合与热压致密化工序，直至得到所述PI电热片与碳化硅基板的复合成品； 应用于真空液压舱；所述调节环境至第一真空度，在所述第一真空度下将PI电热片与热熔处理后的碳化硅基板进行定位销对齐的步骤包括： 将所述碳化硅基板放置于所述真空液压舱底部的真空吸盘上，通过所述真空吸盘吸附固定所述碳化硅基板，并将真空液压舱内环境真空度调节至所述第一真空度，所述第一真空度的取值范围为100至136PA； 采用机械手抓取蚀刻完成的PI电热片，通过定位治具与所述碳化硅基板上的定位销进行配合，驱动所述PI电热片向碳化硅基板表面移动，直至所述PI电热片的孔位与所述碳化硅基板的边沿完全对齐，以实现所述PI电热片与碳化硅基板的定位销对齐； 所述采用非接触式热辐射方式以第一预设温度对所述PI电热片及碳化硅基板进行加热，形成初级复合体的步骤包括： 将所述真空液压舱的加热板下降至距离所述PI电热片与碳化硅基板的表面预设距离处，调节所述加热板的温度至所述第一预设温度，所述第一预设温度为120℃； 在所述第一真空度下，通过所述第一预设温度对所述PI电热片及碳化硅基板进行30秒的非接触式加热，形成所述初级复合体。

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