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龙图腾网获悉四川益丰电子科技有限公司申请的专利高隔离低损耗吸收式单刀四掷开关电路及电路优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120223045B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510696199.4，技术领域涉及：H03K17/693；该发明授权高隔离低损耗吸收式单刀四掷开关电路及电路优化方法是由彭宇;王祁钰;杨柯;罗力伟设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本高隔离低损耗吸收式单刀四掷开关电路及电路优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了高隔离低损耗吸收式单刀四掷开关电路及电路优化方法，包括并联在输入端公共支路上且结构相同的四条射频通路，分别为：第一射频通路、第二射频通路、第三射频通路、第四射频通路，其中，第一射频通路和第二射频通路关于输入端公共支路对称设置、第三射频通路和第四射频通路关于输入端公共支路对称设置，第一射频通路、第二射频通路、第三射频通路、第四射频通路均包括三条串联的开关并联支路，且对于每个射频通路，三条开关并联支路中串联在中间的开关并联支路上串联有到地的谐振电容。在开关并联支路中引入到地的谐振电容,使得隔离度曲线在带内出现谐振点，大大提升了开关的隔离度性能，同时保证开关的损耗不会恶化。

本发明授权高隔离低损耗吸收式单刀四掷开关电路及电路优化方法在权利要求书中公布了：1.一种高隔离低损耗吸收式单刀四掷开关电路，其特征在于，包括并联在输入端公共支路上且结构相同的四条射频通路，分别为：第一射频通路、第二射频通路、第三射频通路、第四射频通路，其中，第一射频通路和第二射频通路关于输入端公共支路对称设置、第三射频通路和第四射频通路关于输入端公共支路对称设置，第一射频通路、第二射频通路、第三射频通路、第四射频通路均包括三条串联的开关并联支路，且对于每个射频通路，三条开关并联支路中串联在中间的开关并联支路上串联有到地的谐振电容； 每个射频通路还包括串联的第一开关并联支路、第二开关并联支路和第三开关并联支路以及与第三开关并联支路串联的输出串联开关，第一开关并联支路和第二开关并联支路之间串联有第一微带线，第二开关并联支路和第三开关并联支路之间串联有第二微带线，第一开关并联支路并联在输入端公共支路上，第三开关并联支路与输出串联开关之间串联有第三微带线； 输出串联开关的源极串联第四微带线后作为射频通路的输出端口，输出串联开关的漏极与第三微带线串联，输出串联开关的源极和漏极之间连接有吸收式电阻，输出串联开关的栅极连接栅极电阻； 第一开关并联支路包括对称设置且连接在同一点的第一开关和第二开关，第一开关的源极连接在输入端公共支路上，第一开关的漏极与第二开关的漏极连接在同一点，第一微带线的一端连接在第一开关的漏极与第二开关的漏极之间，第二开关的源极接地，第一开关和第二开关的栅极分别连接栅极电阻； 第二开关并联支路包括对称设置且漏极连接在同一点的第一并联到地开关和第二并联到地开关，第一并联到地开关和第二并联开关的源极分别串联有到地的谐振电容，第一并联到地开关和第二并联开关的栅极分别连接栅极电阻，第二微带线的一端以及第一微带线的另一端连接在第一并联到地开关的漏极和第二并联开关的漏极之间； 第三开关并联支路包括对称设置且漏极连接在同一点的第三并联到地开关和第四并联到地开关，第三并联到地开关和第四并联开关的源极接地，第三并联到地开关和第四并联开关的栅极分别连接栅极电阻，第二微带线的另一端以及第三微带线的一端均连接在第三并联到地开关的漏极和第四并联开关的漏极之间。

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