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龙图腾网获悉申集半导体科技(徐州)有限公司申请的专利一种半导体化合物的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120193334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510667666.0，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种半导体化合物的外延生长方法是由黄小辉;刘超;陈凯辉设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体化合物的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体化合物的外延生长方法，该外延生长方法中提供的外延生长设备的气体注入装置包括补偿进气通道及若干工艺进气通道，利用该外延生长设备在基片上顺次进行组成不同的第一半导体材料层和第二半导体材料层的生长。在第二半导体材料层的生长工艺进行过程中，利用探测装置获取第二半导体材料层在基片的径向方向上不同区域的各生长速率，根据各生长速率判断是否通过补偿进气通道通入补偿气体以同步进行气体补偿处理，使得外延生长设备能够适用于不同半导体材料体系的生长，有利于兼容不同半导体材料层的生长工艺，提高生产效率以及半导体材料层的均匀性。

本发明授权一种半导体化合物的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体化合物的外延生长方法，其特征在于，包括： 提供外延生长设备和探测装置，所述外延生长设备设有气体注入装置，所述气体注入装置包括由若干工艺进气通道及至少一个补偿进气通道组成的各进气通道，各所述补偿进气通道设于所述若干工艺进气通道所在的区域，至少一个所述补偿进气通道中，一个所述补偿进气通道位于所述气体注入装置中心，所述补偿进气通道的数量为N，当N为1时，所述补偿进气通道位于所述气体注入装置中心，当N为大于1的自然数时，各所述补偿进气通道自所述气体注入装置的中心起沿所述气体注入装置的径向排布； 将基片放到所述外延生长设备内； 控制所述外延生长设备内达到第一反应温度及第一反应压力，控制所述基片旋转，通过各所述工艺进气通道向所述外延生长设备的腔体内通入含三族元素的第一源气和含五族元素的第二源气，以在所述基片上进行组成为氮化镓的第一半导体材料层的生长工艺； 控制所述外延生长设备内达到第二反应温度及第二反应压力，控制所述基片旋转，通过各所述工艺进气通道向所述腔体内通入流量为MO的含三族元素的第三源气和流量为MH的含五族元素的第四源气，以在所述基片上进行组成为氮化铝的第二半导体材料层的生长工艺，所述第三源气中的三族元素不同于所述第一源气中的三族元素； 所述第二半导体材料层的生长工艺进行过程中，利用所述探测装置通过各所述补偿进气通道获取所述第二半导体材料层在所述基片的径向方向上不同区域的各生长速率，根据各所述生长速率判断是否通过至少一个所述补偿进气通道通入补偿气体以同步进行气体补偿处理，所述补偿气体为所述第三源气或所述第四源气； 所述第二半导体材料层的生长工艺进行过程中，利用所述探测装置通过各所述补偿进气通道获取所述第二半导体材料层在所述基片的径向方向上不同区域的各生长速率的步骤包括： 利用所述探测装置通过各所述补偿进气通道获取所述第二半导体材料层上所述第M-1个补偿进气通道所对应的基片区域的材料生长速度VM-1，以及获取与所述第M-1个补偿进气通道相邻的第M个补偿进气通道所对应的基片区域的材料生长速度VM，M为大于等于2的正整数且小于等于N，所述第M-1个进气区域相较第M个进气区域更靠近所述气体注入装置的中心，N为大于等于2的正整数； 判断VM-1VM后，自第M-1个补偿进气通道通入所述第四源气，并控制流量为MM-1=γ1-VMVM-1MH； 判断VM-1VM后，自第M-1个补偿进气通道通入所述第三源气，并控制流量为MM-1=γVMVM-1-1MO； 其中，γ为补偿系数，γ=0.8~1.2； 所述第一源气含镓源，所述第二源气和所述第四源气均含氮源，所述第三源气含铝源。

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