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龙图腾网获悉研微(江苏)半导体科技有限公司申请的专利特征填充方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120164788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510649140.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权特征填充方法和半导体结构是由王传道;张文文设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本特征填充方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种特征填充方法和半导体结构。该特征填充方法包括提供包括多个特征的衬底，每个特征分别具有特征开口、特征侧壁和特征底部；本申请的特征填充方法能够及时或实时获取第一沉积层在特征开口处的形貌，判断是否形成有凸部，并在特征开口处形成有凸部时使用刻蚀介质刻蚀第一沉积层，以使特征开口处的第一沉积层相对于特征侧壁处和特征底部处的第一沉积层先被刻蚀；根据本申请的特征填充方法在刻蚀之前可对凸部进行改性处理，以进一步实现凸部的选择性刻蚀，从而能有效减小或去除凸部，防止凸部封闭特征开口，避免在特征内部形成孔洞，提高特征填充率的同时提升芯片性能。

本发明授权特征填充方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种特征填充方法，其特征在于，包括： 提供包括多个特征的衬底，所述多个特征在所述衬底上间隔设置，每个特征分别具有特征开口、特征侧壁和特征底部； 采用ALD工艺填充所述多个特征，在所述多个特征中保形地形成第一沉积层，所述第一沉积层覆盖所述特征开口、所述特征侧壁和所述特征底部； 获取所述第一沉积层在所述特征开口处的形貌，判断所述第一沉积层在所述特征开口处是否形成有凸部，其中，所述凸部向所述特征开口的中心凸出； 响应于所述特征开口处形成有凸部，使用刻蚀介质刻蚀所述第一沉积层，以使所述特征开口处的第一沉积层相对于所述特征侧壁处和所述特征底部处的第一沉积层先被刻蚀；以及 判断所述第一沉积层的刻蚀结果是否达到预定刻蚀目标，响应于所述刻蚀结果达到预定刻蚀目标，停止刻蚀所述第一沉积层，并再次采用所述ALD工艺填充所述多个特征，在所述多个特征中保形地形成第二沉积层； 在使用刻蚀介质刻蚀所述第一沉积层之前，还包括： 使用改性介质对所述第一沉积层中的至少部分进行改性处理，其中，所述第一沉积层的至少部分包括所述特征开口处的第一沉积层；以及 判断所述第一沉积层的至少部分的改性结果是否达到预定改性目标，响应于所述改性结果达到所述预定改性目标，停止所述改性处理； 其中，所述判断所述第一沉积层的至少部分的改性结果是否达到预定改性目标，包括： 在进行改性处理之前，测量所述凸部在所述特征的深度方向上的第一高度； 在进行改性处理之后，测量所述第一沉积层中的至少部分在所述特征的深度方向上的第二高度； 计算高度比，所述高度比为所述第一高度与所述第二高度之比；以及 若所述高度比达到预定高度比范围，则判断所述第一沉积层的至少部分的改性结果达到预定改性目标。

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