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龙图腾网获悉安徽大学绿色产业创新研究院申请的专利一种超低功耗抗单粒子瞬态的电平转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120150692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510633921.X，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种超低功耗抗单粒子瞬态的电平转换器是由柏娜;杨林;李赟菲;杨俊杰设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低功耗抗单粒子瞬态的电平转换器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种超低功耗抗单粒子瞬态的电平转换器，该电平转换器包括：主体输出级和辅助电路；主体输出级采用DICE结构，用于通过DICE结构中每个节点配备的两条下拉通路，在受到SET电荷冲击后快速释放电荷；辅助电路包括：两个改进的LEDC结构；改进的LEDC结构用于通过为DICE结构引入一个额外的控制信号，通过额外的控制信号控制改进的LEDC结构中的静态电流被完全切断。该电平转换器在受到SET电荷冲击后快速释放电荷保持输出稳定，相比传统LEDC结构，改进后的LEDC结构可以完全解决电路中的静态电流问题，实现整个电路的超低静态功耗。

本发明授权一种超低功耗抗单粒子瞬态的电平转换器在权利要求书中公布了：1.一种超低功耗抗单粒子瞬态的电平转换器，其特征在于，所述电平转换器包括：主体输出级和辅助电路； 所述主体输出级采用DICE结构； 所述辅助电路包括：第一结构和第二结构，第一结构和第二结构均采用改进的LEDC结构；改进的LEDC结构用于通过为所述DICE结构引入一个额外的控制信号，通过额外的控制信号控制改进的LEDC结构中的静态电流被完全切断； 其中，改进的LEDC结构包括：5个PMOS管P1至P5，3个NMOS管N1至N3； P1、P2以及P3的源极均与VDDH端连接，P1的漏极、P1的栅极、P2的栅极、P5的栅极以及N1的漏极均与第一结构的Q点或者第二结构的K点连接； P2的漏极与P5的源极连接，P5的漏极、N3的漏极以及P4的漏极均与第一结构的X点或第二结构的Y点连接，P4的源极与P3的漏极连接，P3和N2的栅极均与第一结果的节点B或第二结构的OUT点连接，P4和N3的栅极均与第一结构的反相输入信号端或第二结构的输入信号端连接；N1的源极和N2的漏极连接，N1的栅极与第一结构的输入信号端或第二结构的反相输入信号端连接，N2和N3的源极均接地；所述X点和Y点均为额外的控制信号引入点； 所述主体输出级包括：8个PMOS管P6至P13，10个NMOS管N4至N13； P6、P7、P8以及P9的源极均与VDDH端连接，P6的漏极与P10的源极连接，P10的漏极、P7的栅极、N5的漏极、N10的漏极以及N8的栅极均与节点A连接，P10和P12的栅极均与X点连接，P11、P13的栅极、N4的栅极以及N13的栅极均与Y点连接，P7的漏极与P11的源极连接，P8的漏极与P12源极连接，P9的漏极与P13的源极和N8的漏极连接，N9的源极与N13的漏极连接； N5的栅极、N6的漏极、P11的漏极、P8的栅极以及N11的漏极均与节点B连接； N6的栅极、N7的漏极、P12的漏极、P9的栅极以及N12的漏极均与节点C连接； P6的栅极、P13的漏极、N4的漏极N9的漏极均与OUT端连接； N7的栅极与N4的源极和N8的漏极连接；N5、N6、N7、N8、N10、N11、N12以及N13的源极均接地； N10和N12的栅极与输入信号端连接，N11和N9的栅极与反相输入信号端连接。

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