买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种厚膜外延渐变层过渡区制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510592304.X，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种厚膜外延渐变层过渡区制备方法是由付成辛;雷金澌;刁睿;杨金锋设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种厚膜外延渐变层过渡区制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种厚膜外延渐变层过渡区制备方法，包括：S100、对重掺N型硅衬底进行表面预处理以降低界面缺陷；S200、将预处理后的衬底传送至外延腔体，通过梯度升温形成稳定晶格界面；S300、在过渡区生长阶段，通入外延气体和掺杂气体，动态调整掺杂气流量并实时监测电阻率，使过渡区电阻率与平坦区匹配；S400、切换至平坦区生长阶段，保持恒定掺杂气流量并调节外延参数直至总厚度达标；S500、外延完成后对衬底进行梯度降温及后处理，通过动态调整掺杂气流量并对外延时间进行控制，实时监测电阻率，确保过渡区与平坦区之间的电阻率匹配，提高了外延层的整体质量，精确控制使得过渡区长度和电阻率变化更加稳定，减少了因电阻率不匹配导致的性能波动。

本发明授权一种厚膜外延渐变层过渡区制备方法在权利要求书中公布了：1.一种厚膜外延渐变层过渡区制备方法，其特征是，包括： S100、对重掺N型硅衬底进行表面预处理以降低界面缺陷； S200、将预处理后的衬底传送至外延腔体，通过梯度升温形成稳定晶格界面； S300、在过渡区生长阶段，通入外延气体和掺杂气体，动态调整掺杂气流量并实时监测电阻率，使过渡区电阻率与平坦区匹配；按指数函数递减调整掺杂气流量，指数系数k的取值范围为0.02-0.05s﹣¹；S301、初始流量设定为290sccm，按递减至终止流量33.3sccm；S302、通过非接触式激光干涉仪实时监测膜厚，并与电阻率数据联动修正流量曲线，确保过渡区长度偏差≤±5%； S400、切换至平坦区生长阶段，保持恒定掺杂气流量并调节外延参数直至总厚度达标；S401、保持掺杂气流量为33.3sccm，TCS流量为7-10gmin；S402、通过四探针法实时监测电阻率，并调节TCS流量使平坦区电阻率波动≤±0.3%；S403、每生长5μm外延层后注入一次高浓度磷烷脉冲500-800sccm，持续10-20s，形成纵向梯度掺杂结构； S500、外延完成后对衬底进行梯度降温及后处理；所述步骤S500中梯度降温包括：S501、以5-8℃min速率冷却至室温；S502、降温过程中通入氩气纯度≥99.999%防止外延层氧化；S503、冷却后通过扩展电阻剖面（SRP）测试验证过渡区陡峭度；过渡区与平坦区的生长参数通过中央控制系统联动，形成全流程闭环反馈，且工艺数据实时存储至云端数据库用于良率分析，冷却完成后通过扩展电阻剖面（SRP）测试验证过渡区的陡峭度，要求ΔρΔL≥15Ω•cmμm且界面晶格缺陷密度≤5×10²cm﹣²。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，其通讯地址为：323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道成大街618号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。