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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510592201.3，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法是由陈琅;王贞福;李特;刘嘉辰;吴顺华;章珺越设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法，解决现有半导体激光芯片采用砷化镓材料作为芯片衬底时，芯片衬底产生的热源热量高，传统散热路径在热传递时存在热阻大、散热效率不佳的问题。本发明在原芯片衬底上开设刻蚀槽，在刻蚀槽内设置沉积金属层替换部分砷化镓衬底材料，而沉积金属层内的金属材料电阻低，导热系数高，这种设计使芯片衬底整体的电阻值降低，热源热量减少，从而提升电光转换效率；沉积金属层位于发光单元下侧，这样发光单元产生的热量可通过沉积金属层传导至焊料层，进而传递至热沉，重构了传热路径，并且沉积金属层的热阻低，可减少整个传热路径上的传导热阻，强化散热。

本发明授权一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片，包括芯片衬底（3）以及位于芯片衬底（3）顶部的多个发光单元（4）；多个所述发光单元（4）沿芯片衬底（3）长度或宽度方向均匀布设，相互平行设置，且相邻两个发光单元（4）之间设置有间隔；所述芯片衬底（3）的下表面设置有焊料层（2），焊料层（2）的下表面设置有热沉（1），所述芯片衬底（3）通过焊料层（2）固定在热沉（1）的上表面，其特征在于： 所述芯片衬底（3）上设置有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽的深度方向沿芯片衬底（3）厚度方向设置，多个刻蚀槽分别位于多个发光单元（4）下侧，并与发光单元（4）的位置相对应； 多个所述刻蚀槽内分别设置有与其形状相适配的沉积金属层（5），所述沉积金属层（5）的底端面与芯片衬底（3）的下表面平齐且与焊料层（2）的上表面接触； 所述刻蚀槽的深度与芯片衬底（3）的厚度相同，其顶部宽度为发光单元（4）宽度的10%-150%，发光单元（4）的底部对应与芯片衬底（3）、沉积金属层（5）均相接； 或者，所述刻蚀槽的深度不小于芯片衬底（3）厚度的50%，其顶部宽度为发光单元（4）宽度的10%-150%，且开口朝下设置，发光单元（4）的底部与芯片衬底（3）的顶部相接。

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