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一道新能源科技股份有限公司马俊获国家专利权

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龙图腾网获悉一道新能源科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120111999B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510593316.4,技术领域涉及:H10F77/1223;该发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池是由马俊;洪成浩;刘向东;郭心钰;周梦强;刘汪利;李灵芝;李家栋;胥星星;苏春阳;苑北海;王雷雨设计研发完成,并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池,该制备方法首先提供N型硅基过程片,且对N型硅基过程片的第一表面一侧进行硼扩散掺杂处理,对N型硅基过程片的第二表面一侧进行磷扩散掺杂处理,然后采用极紫外激光光源,对第二表面上的栅线区域进行局部掺杂推进处理,之后对局部掺杂推进处理后的第二表面进行退火激活处理,以使第二表面上的栅线区域形成重掺杂区,第二表面上的非栅线区域形成轻掺杂区,之后在第一表面上形成第一钝化膜层,以及,在第二表面上形成第二钝化膜层,最后在第一钝化膜层远离第一表面一侧与第二钝化膜层远离第二表面一侧分别进行丝网印刷和烧结处理,形成电极结构,制得太阳能电池。

本发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了:1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括: 提供N型硅基过程片,且对所述N型硅基过程片的第一表面一侧进行硼扩散掺杂处理,对所述N型硅基过程片的第二表面一侧进行磷扩散掺杂处理;其中,所述第一表面和所述第二表面是所述N型硅基过程片相互背离的两个表面,且所述第一表面为绒面,所述第二表面为抛光面; 采用极紫外激光光源,对所述第二表面上的栅线区域进行局部掺杂推进处理; 对局部掺杂推进处理后的所述第二表面进行退火激活处理,以使所述第二表面上的栅线区域形成重掺杂区,所述第二表面上的非栅线区域形成轻掺杂区; 在所述第一表面上形成第一钝化膜层,以及,在所述第二表面上形成第二钝化膜层; 在所述第一钝化膜层远离所述第一表面一侧与所述第二钝化膜层远离所述第二表面一侧分别进行丝网印刷和烧结处理,形成电极结构,制得所述太阳能电池。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人一道新能源科技股份有限公司,其通讯地址为:324022 浙江省衢州市衢江区百灵南路43号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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