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龙图腾网获悉镭昱光电科技(苏州)有限公司申请的专利Micro-LED显示芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120112038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510585272.0，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权Micro-LED显示芯片及其制备方法是由庄永漳;仉旭;漆龙恒设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED显示芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法。其中，Micro‑LED显示芯片包括基板、第一LED单元层和第二LED单元层。基板包括多个第一触点。第一LED单元层包括第一键合层和间隔排布于第一键合层上方的多个第一LED单元。第一键合层熔融键合于基板的上方。第一LED单元和第一触点在基板上的垂直投影不重叠。第二LED单元层设于第一LED单元层的上方。第二LED单元层包括间隔排布的多个第二LED单元。第二LED单元和第一触点在基板上的垂直投影不重叠。本申请加工工艺简单，降低了连接对准难度，提升了器件的良率。

本发明授权Micro-LED显示芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED显示芯片，其特征在于，包括： 基板，包括多个第一触点； 第一LED单元层，包括第一键合层和间隔排布于所述第一键合层上方的多个第一LED单元，所述第一键合层熔融键合于所述基板的上方，所述第一LED单元和所述第一触点在所述基板上的垂直投影不重叠； 第二LED单元层，设于所述第一LED单元层的上方，包括间隔排布的多个第二LED单元，所述第二LED单元和所述第一触点在所述基板上的垂直投影不重叠； 其中，所述第一LED单元和所述第二LED单元分别包括第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层，所述第一掺杂型半导体层用于与对应的所述第一触点电连接，以使所述第一LED单元和所述第二LED单元能够被单独驱动； 所述第一LED单元层还包括：第一导电层，设于所述第一键合层与每一所述第一LED单元之间，并伸出于对应的所述第一LED单元，所述第一导电层与所述第一LED单元的第一掺杂型半导体层电连接； 所述显示芯片还包括设置于所述第一LED单元层的第一导电柱，所述第一导电柱用于电连接所述第一导电层和对应的所述第一触点； 所述第一键合层的材料为二氧化硅，以使所述第一导电层与所述基板之间绝缘。

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