北京怀柔实验室聂瑞芬获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510564078.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权功率器件及其制备方法是由聂瑞芬;金锐;和峰;李翠;李哲洋;崔翔设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了功率器件及其制备方法，该器件包括：衬底，衬底包括第一表面；外延层，外延层设置在第一表面上；有源区，有源区设置在外延层背离衬底的一侧；变掺杂的终端结构，变掺杂的终端结构设置在外延层背离衬底的一侧，变掺杂的终端结构包括在第一方向上叠层设置的多层膜层，第一方向为垂直于衬底且指向背离衬底的方向，多层膜层具有不同掺杂浓度，多层膜层在第二方向上的长度沿着第一方向递减，多层膜层在第二方向的一端具有斜坡结构，第二方向为垂直于第一方向且由有源区指向斜坡结构的方向，以解决现有技术中功率器件的终端结构的制备工艺复杂、注入掺杂深度有限，不容易进行工艺控制，很难实现设计的掺杂目标的问题。
本发明授权功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一表面； 外延层，所述外延层设置在所述第一表面上； 有源区，所述有源区设置在所述外延层背离所述衬底的一侧； 变掺杂的终端结构，所述变掺杂的终端结构设置在所述外延层背离衬底的一侧，所述变掺杂的终端结构包括在第一方向上叠层设置的多层膜层，所述第一方向为垂直于所述衬底且指向背离所述衬底的方向，多层所述膜层具有不同掺杂浓度，多层所述膜层在第二方向上的长度沿着所述第一方向递减，多层所述膜层在所述第二方向上的一端具有斜坡结构，所述第二方向为垂直于所述第一方向且由所述有源区指向所述斜坡结构的方向， 所述斜坡结构为台阶结构，所述变掺杂的终端结构中的多层膜层与所述台阶结构中各层台阶形成一一对应的关系，在所述台阶结构中的各台阶具有不同的掺杂浓度，进而使所述台阶结构实现与横向变掺杂结构相同的表面变掺杂结构，所述台阶结构从所述有源区到所述终端结构边缘的掺杂浓度逐渐降低。
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