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之江实验室杨晓慧获国家专利权

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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种多频成像声呐的压电传感阵列制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120112151B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510563657.7,技术领域涉及:H10N30/02;该发明授权一种多频成像声呐的压电传感阵列制备方法是由杨晓慧;施钧辉;苏义印;阮永都;王珊;冀梦辉;郑志超;王钰琪;陈睿黾设计研发完成,并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多频成像声呐的压电传感阵列制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多频成像声呐的压电传感阵列制备方法。所述方法采用PVDF或PVDF‑TrFE压电薄膜作为核心材料,集合了自动涂布、旋涂减薄、激光刻蚀、丝网印刷、磁控溅射、图形掩膜以及真空封装等工艺,可制备≤8英寸的方形正交阵列,能够用于≥300kHz宽带的多频多波束三维声学成像。阵列电极通过磁控溅射法、丝网印刷法或两者组合形成图案化电极,实现高密度阵元的一次成型,结合激光刻蚀与对齐技术,确保阵列尺寸和阵元位置精度,采用环氧树脂与真空封装技术增强层间结合强度。传感阵列具备电学一致性,阵元异常率0.5%,可在高压差及高压环境下稳定工作,成像距离大于等于十米,适用于海底地貌的探测与目标识别。

本发明授权一种多频成像声呐的压电传感阵列制备方法在权利要求书中公布了:1.一种多频成像声呐的压电传感阵列制备方法,其特征在于,阵列形式为尺寸≤8英寸的方形阵列,阵元为方形,阵元数≥24×24,成像频率≥300kHz,采用激光刻蚀、丝网印刷、磁控溅射或者图形掩膜工艺,PVDF和PVDF-TrFE传感阵列集成封装在PCB电路板上;制备工艺核心在于单层和多层的PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜形成图案化电极,图案化电极方法具体包括: 磁控溅射和丝网印刷组合法:按照负电极图案制作丝网印版,先通过丝网印刷在压电薄膜一面印刷负电极,激光刻蚀压电薄膜边缘轮廓和正电极的热释放图形掩膜胶带,利用粘接定位工具将图形掩膜胶带覆盖在压电薄膜另一面,使掩膜胶带镂空区域与丝网印刷负电极阵元位置对齐,使用磁控溅射设备在表面溅射铬和金材料,揭除图形掩膜胶带后形成图案化正电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人之江实验室,其通讯地址为:311121 浙江省杭州市余杭区中泰街道科创大道之江实验室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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