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龙图腾网获悉苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利量子级联发光结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120073480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510533789.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权量子级联发光结构及其制备方法是由詹文博;程洋;王俊;赵武;朱泽群;闵大勇设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子级联发光结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种量子级联发光结构及其制备方法，量子级联发光结构包括：有源层；有源层包括沿第一方向层叠的第一有源层组至第M有源层组，任意的第m有源层组呈超晶格结构并包括沿第一方向层叠的多个第m有源层单元，任意的第m有源层单元包括沿第一方向交替层叠的第m势垒层和第m势阱层；任意的第m势垒层的等效材料为InxAl1‑xAs，任意的第m势阱层的等效材料为InyGa1‑yAs；M为大于或等于1的整数，m为大于或等于1且小于或等于M的整数；其中，至少一个有源层组中的每个有源层单元中的至少两个势垒层的x不同；和或，至少一个有源层组中的每个有源层单元中的至少两个势阱层的y不同。

本发明授权量子级联发光结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子级联发光结构，量子级联发光结构为量子级联激光器，其特征在于，包括：有源层； 其中，所述有源层包括沿第一方向层叠的第一有源层组至第M有源层组，任意的第m有源层组呈超晶格结构并包括沿第一方向层叠的多个第m有源层单元，任意的第m有源层单元包括沿第一方向交替层叠的第m势垒层和第m势阱层；任意的第m势垒层的等效材料为InxAl1-xAs，任意的第m势阱层的等效材料为InyGa1-yAs；M为大于或等于1的整数，m为大于或等于1且小于或等于M的整数； 其中，任意的第m势阱层包括沿第一方向交替层叠的第一类型的第m子势阱层和第二类型的第m子势阱层，第二类型的第m子势阱层位于相邻的第一类型的第m子势阱层之间，第一类型的第m子势阱层的材料为Iny1Ga1-y1As，第二类型的第m子势阱层的材料为InAs；任意的第m势垒层包括沿第一方向交替层叠的第一类型的第m子势垒层和第二类型的第m子势垒层，第二类型的第m子势垒层位于相邻的第一类型的第m子势垒层之间；第一类型的第m子势垒层的材料为Inx1Al1-x1As，第二类型的第m子势垒层的材料为AlAs； 其中，至少一个有源层组中的每个有源层单元中的至少两个势垒层的x不同；和或，至少一个有源层组中的每个有源层单元中的至少两个势阱层的y不同。

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