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龙图腾网获悉镭昱光电科技(苏州)有限公司申请的专利Micro-LED显示芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510536304.8，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权Micro-LED显示芯片及其制备方法是由庄永漳;仉旭;漆龙恒设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED显示芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法。其中，Micro‑LED显示芯片包括基板、至少两层LED单元层和导电柱。基板包括多个第一触点。至少两层LED单元层层叠设于基板的上方，每层LED单元层分别包括间隔排布的多个LED单元和与多个LED单元一一对应的多个导电反射杯。多个LED单元和多个第一触点在所基板上的垂直投影不重叠。导电反射杯与对应的LED单元的第一掺杂型半导体层电连接。导电反射杯包括延伸至对应的LED单元的侧面外部的伸出部。导电柱用于电连接伸出部与对应的第一触点，以使每一LED单元能够被单独驱动。本申请能够降低加工时的对位精度要求，进而降低加工工艺难度，提升器件的良率。

本发明授权Micro-LED显示芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED显示芯片，其特征在于，包括： 基板，包括多个第一触点； 至少两层LED单元层，层叠设于所述基板的上方，每层所述LED单元层分别包括间隔排布的多个LED单元和与多个所述LED单元一一对应的多个导电反射杯，多个所述LED单元和多个所述第一触点在所述基板上的垂直投影不重叠，所述LED单元包括层叠设置的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层，所述导电反射杯与对应的所述LED单元的第一掺杂型半导体层电连接，所述导电反射杯包括延伸至对应的所述LED单元的侧面外部的伸出部； 导电柱，用于电连接所述伸出部与对应的所述第一触点，以使每一所述LED单元能够被单独驱动； 至少两层LED单元层包括第一LED单元层和第二LED单元层，第一LED单元层包括间隔排布的多个第一LED单元和位于相邻所述第一LED单元之间第一填平层，所述第一填平层熔融键合于所述基板的上方并使所述第一LED单元与所述基板之间形成间隔；第二LED单元层，设置于所述第一LED单元层的上方，包括间隔排布的多个第二LED单元； 显示芯片还包括第一平坦化层，形成于所述第一LED单元层的上方，所述第一平坦化层用于对第一LED单元进行保护，并为第二LED单元层的熔融键合加工做准备； 所述第二LED单元层还包括位于相邻所述第二LED单元之间第二填平层，所述第二填平层熔融键合于所述第一平坦化层的上方并使所述第二LED单元与所述第一平坦化层之间形成间隔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人镭昱光电科技(苏州)有限公司，其通讯地址为：215127 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区新平街388号21幢2层01-04&12-14单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。