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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510529941.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权MOSFET器件及其制备方法是由向坤;马万里;刘浩文;肖帅;闫正坤;谭键文设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一个第一区域，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第一体区，第一掺杂区位于外延层背离衬底一侧，第二掺杂区环绕第一掺杂区的外周，第一体区位于第二掺杂区靠近衬底的一侧，第一区域与MOSFET器件的源极接触；多个第二区域分布在第一区域的外周，第二区域包括外延区域、第三掺杂区和第二体区，第二体区环绕外延区域的外周，第三掺杂区位于第二体区背离外延区域的一侧，其中，第一体区与第二体区接触，第三掺杂区与第二掺杂区接触，第二区域与MOSFET器件的栅极结构接触，以解决现有技术中MOSFET器件导通电阻较大和面积不能优化的问题。

本发明授权MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括衬底、外延层、栅极结构和源极，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述MOSFET器件还包括： 至少一个第一区域，位于所述外延层中，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第一体区，所述第一掺杂区位于所述外延层背离所述衬底一侧，所述第二掺杂区环绕所述第一掺杂区的外周，所述第一体区位于所述第二掺杂区靠近所述衬底的一侧，所述第一区域与所述MOSFET器件的源极接触； 多个第二区域，位于所述外延层中且多个所述第二区域分布在所述第一区域的外周，所述第二区域包括外延区域、第三掺杂区和第二体区，所述外延区域位于所述外延层背离所述衬底一侧，所述第二体区环绕所述外延区域的外周，所述第三掺杂区位于所述第二体区背离所述外延区域的一侧，且所述第三掺杂区位于所述第二体区背离所述衬底的一侧，其中，所述第一体区与所述第二体区接触，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区接触，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区均具有第一掺杂类型，所述第一掺杂区、所述第一体区和所述第二体区均具有第二掺杂类型，所述第二区域与所述MOSFET器件的栅极结构接触， 一个所述第一区域的周围包围若干个所述第二区域，所述外延区域为JFET区域，所述第三掺杂区和所述第二体区均环绕在所述JFET区域外周。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。