宏芯科技(泉州)有限公司温小斌获国家专利权
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龙图腾网获悉宏芯科技(泉州)有限公司申请的专利一种硅光芯片的检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120047439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510511125.9，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种硅光芯片的检测系统是由温小斌设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅光芯片的检测系统在说明书摘要公布了：本发明涉及光学测试技术领域，具体为一种硅光芯片的检测系统，包括结构视角调控模块、反射异常捕捉模块、方向错位验证模块、响应分布平衡模块、以及结构状态标定模块。本发明中，通过图像中灰度差值与连续亮度变化点的提取，结合突跳边界识别与切平面构建，实现对微结构突变区域的精准定位与入射方向提取，旋转采集方向以抑制灰度波动，提升边缘对准图层的光学稳定性，采集亮度扩展轨迹并识别断裂位置，结合扩散幅度差异筛选反射异常点，有效增强对非均质反射的识别能力，排列亮度走向并进行夹角计算，提取方向连续偏移轨迹，实现方向性偏差的动态建模，计算结构内外光照差值并比对轮廓路径，提升对边界响应演化与异常轮廓分布的判别精度。
本发明授权一种硅光芯片的检测系统在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片的检测系统，其特征在于，包括： 结构视角调控模块，用于获取边缘衍射图像区域，提取横纵灰度差与三处亮度变动点，计算趋势差值，判断突跳边界，构建切平面与入射方向，记录连续帧灰度波动并旋转采集方向至波动低于参考值，生成边缘对准影像图层； 反射异常捕捉模块，基于所述边缘对准影像图层，记录光照均匀性，采集反射亮度轨迹，识别断裂并标记，筛选相较邻域扩散更剧烈区域，生成异常反射点集分布图； 方向错位验证模块，基于所述异常反射点集分布图，提取亮度走向，与邻域方向比对角度差，筛选方向一致片段构成轨迹，生成连续方向偏移形态图； 响应分布平衡模块，基于所述连续方向偏移形态图，提取偏移形态图各区亮度波动，计算结构内外光强差值，判断边界差值是否持续外扩，生成区域响应偏移图层； 结构状态标定模块，基于所述区域响应偏移图层，比对响应图层中边界漂移区域与初始轮廓路径，识别拉伸压缩差异，生成芯片结构局部异常图谱。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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