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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510498280.1，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法是由郭李亮;曹国洋;王嘉轩;龚昌平;冯铄媛;杨阵海;秦琳玲;李孝峰设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器领域，NPN型异质结光电探测器包括依次设置于正负电极之间的第一N型半导体层、P型半导体层和第二N型半导体层；所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层材质相同且所述P型半导体层的掺杂浓度大于所述第一N型半导体层的掺杂浓度。本发明通过在光电探测器上加上偏置电压显著提高了光电探测器的光生电流，实现了高响应度，实现了响应度与响应时间的制约关系解耦。通过设计NPN型异质结构探测器，底部的势垒和中间层的耗尽区域能够有效地降低暗电流，实现高的比探测率。

本发明授权一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器，其特征在于：包括， 依次设置于正负电极之间的第一N型半导体层（1）、P型半导体层（2）和第二N型半导体层（3）； 所述第一N型半导体层（1）和所述P型半导体层（2）之间形成第一异质结势垒，用于阻挡电子向所述第一N型半导体层（1）注入； 所述第二N型半导体层（3）和所述P型半导体层（2）之间形成第二异质结势垒，用于阻挡空穴向所述第二N型半导体层（3）注入，以使光照下产生的光生空穴积累在所述P型半导体层（2）中，并通过光门控效应降低所述第一异质结势垒和第二异质结势垒的导带势垒； 所述第一N型半导体层（1）和所述第二N型半导体层（3）的材质均为HfS2，厚度均为20nm，带隙均为2.45eV；其中，所述第一N型半导体层（1）的掺杂浓度为1015cm-3，所述第二N型半导体层（3）的掺杂浓度为1017cm-3；所述P型半导体层（2）的材质为NiS2，厚度为80nm，带隙为0.37eV，掺杂浓度为1014cm-3；所述第一N型半导体层（1）和所述第二N型半导体层（3）的掺杂浓度大于所述P型半导体层（2）的掺杂浓度，以使所述P型半导体层（2）部分处于耗尽区，用于吸收光子产生电子空穴对； 所述正负电极上具有偏压。

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