东华理工大学南昌校区万江锋获国家专利权
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龙图腾网获悉东华理工大学南昌校区申请的专利一种用于生产225Ac的226Ra同位素靶及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510482748.8，技术领域涉及：H05H6/00；该发明授权一种用于生产225Ac的226Ra同位素靶及其应用是由万江锋;尚光鑫;林泽斌;汤彬;邹继军;欧阳明设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于生产225Ac的226Ra同位素靶及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及器产医用同位素225Ac生产技术领域中光核反应制备225Ac的镭靶设计，具体涉及一种用于生产225Ac的226Ra同位素靶及其应用。所述226Ra同位素靶包含镍基底、226Ra同位素样品、镍电镀层和镍保护壳；其中，226Ra同位素样品均匀集中在镍基底的中心位置，镍电镀层覆盖在226Ra同位素样品外表面，且镍基底和镍电镀层将226Ra同位素样品包裹在中间；镍保护壳包裹镍电镀层。所述226Ra同位素靶能够应用于电子直线加速器中，作为光核反应生产225Ac的原料靶，可提高225Ac同位素的生产量。
本发明授权一种用于生产225Ac的226Ra同位素靶及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于生产225Ac的226Ra同位素靶，其特征在于，所述226Ra同位素靶包含镍基底、226Ra同位素样品、镍电镀层和镍保护壳；其中，226Ra同位素样品均匀集中在镍基底的中心位置，镍电镀层覆盖在226Ra同位素样品外表面，且镍基底和镍电镀层将226Ra同位素样品包裹在中间；镍保护壳包裹镍电镀层。
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