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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利高性能咬合式有序膜电极、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510465577.8，技术领域涉及：C25B11/02；该发明授权高性能咬合式有序膜电极、其制备方法及应用是由周小春;黄文涛;田彬设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本高性能咬合式有序膜电极、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高性能咬合式有序膜电极、其制备方法及应用。所述电极包括有序阵列膜、催化层（CL）和打孔扩散层；有序阵列膜包括膜基体和有序排列的阵列锥；打孔扩散层具有多个孔洞结构，阵列锥进入孔洞结构中；催化层连续填塞在阵列锥与孔洞结构的壁面之间以及选定面与打孔扩散层之间形成机械咬合。本发明构造了咬合式的结构，通过在扩散层（PTL）表面雕刻出孔洞结构，使得所制备的膜电极可以较好地保留住阵列结构，使得阵列结构在质子、电子以及物质传输等方面的优势可以得到较好的发挥；由于咬合式的结构可以使得原本接触不佳的催化层与扩散层形成良好的接触，界面的接触电阻降低，电荷转移电阻降低，进一步地提升了性能。

本发明授权高性能咬合式有序膜电极、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种高性能咬合式有序膜电极，其特征在于，包括有序阵列膜、催化层和打孔扩散层； 所述有序阵列膜包括膜基体和阵列锥，所述阵列锥有序排列在所述膜基体的选定面；所述打孔扩散层具有多个孔洞结构，所述阵列锥进入所述孔洞结构中；所述催化层连续填塞在所述阵列锥与所述孔洞结构的壁面之间以及所述选定面与所述打孔扩散层之间，且所述阵列锥-催化层-孔洞结构形成机械咬合；所述阵列锥的根部直径为15-30μm，相邻的所述阵列锥的根部之间的间隔距离为2-30μm，所述阵列锥的高度为10-30μm； 所述高性能咬合式有序膜电极的制备方法包括： 提供有序阵列膜和打孔扩散层，所述打孔扩散层中的孔洞结构与所述有序阵列膜上的阵列锥的排列与大小相对应； 在所述有序阵列膜的选定面覆盖催化层，和或，在所述打孔扩散层的贴合面及所述孔洞结构中的表面覆盖催化层； 对位压合所述打孔扩散层和所述选定面，以使所述有序阵列膜的阵列锥和所述打孔扩散层的孔洞结构全部咬合，所述催化层处于所述有序阵列膜和所述打孔扩散层之间。

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