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龙图腾网获悉合肥众波功能材料有限公司申请的专利基于SEM的压电单晶微观形貌检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120009323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458650.9，技术领域涉及：G01N23/2251；该发明授权基于SEM的压电单晶微观形貌检测方法及系统是由韦群;谢振林设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SEM的压电单晶微观形貌检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于SEM的压电单晶微观形貌检测方法及系统，涉及压电单晶微观表征检测技术领域，获得未施加电场和施加不同电场产生压电效应后的压电单晶微观图像，选定任一电场为特征电场，根据未施加电场和施加不同电场的压电单晶不同区域微观图像的差异，得到未施加电场和施加不同电场压电单晶不同区域的微观表现，对所述微观表现进行特征识别，得到压电单晶在特征电场下的缺陷率，基于压电单晶在特征电场下的缺陷率，判定压电单晶质量，本发明通过形貌数据判断压电单晶在特定电场下形貌种类、大小和数量，从而得到压电单晶在特征电场下的缺陷率，判断压电单晶的质量，通过设定阈值区间可准确检测压电单晶的微观形貌质量。

本发明授权基于SEM的压电单晶微观形貌检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于SEM的压电单晶微观形貌检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 获得未施加电场和施加不同电场产生压电效应后的压电单晶微观图像； 选定任一电场为特征电场，根据未施加电场和施加不同电场的压电单晶不同区域微观图像的差异，得到未施加电场和施加不同电场压电单晶不同区域的微观表现； 对所述微观表现进行特征识别，得到压电单晶在特征电场下的缺陷率； 基于压电单晶在特征电场下的缺陷率，判定压电单晶质量； 所述压电单晶在特征电场下的缺陷率计算方法如下： ； 其中，表示归一化缺陷率；Ai表示第i类缺陷的面积；ωi表示第i类缺陷的权重系数；Atotal表示图像视场总面积；α表示材料常数；表示图像平均灰度梯度，n表示缺陷总数量； 所述对所述微观表现进行特征识别，得到压电单晶在特征电场下的缺陷率包括： 根据未施加电场和施加不同电场压电单晶不同区域的微观表现进行轮廓特征识别和图像特征识别； 根据轮廓特征识别结果进行基于电场大小趋向连续的轮廓相似聚类，基于聚类结果生成第一约束； 根据图像特征识别结果进行基于电场大小趋向连续的图像相似聚类，基于聚类结果生成第二约束； 基于第一约束和第二约束生成N个形貌分区； 其中，N为大于1的整数； 基于生成的形貌分区对压电单晶在特征电场下的图像进行特征识别，得到压电单晶在特定电场下形貌种类、大小和数量，基于所述形貌种类、大小和数量得到压电单晶在特征电场下的缺陷率。

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