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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利芯片波形去嵌方法、装置、电子设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119827963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510330754.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权芯片波形去嵌方法、装置、电子设备、存储介质是由杨广;谢登煌设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片波形去嵌方法、装置、电子设备、存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片波形去嵌方法、装置、电子设备、存储介质，涉及芯片测试技术领域。该方法包括：将第一LPDDR5芯片通过转接板焊接在第一测试电路板；将第二LPDDR5芯片焊接在第二测试电路；通过示波器获取第一测试电路板和第二测试电路板的第一芯片波形和第二芯片波形，并对第一芯片波形和第二芯片波形进行快速傅里叶计算，获得第一频域信号和第二频域信号；根据第一频域信号和第二频域信号，获得转接板的第一传递函数；根据第一频域信号和第一传递函数，获得第三频域信号；对第三频域信号进行逆傅里叶变换，获得LPDDR5芯片的第一测试波形。根据本发明实施例的方法，能够提升芯片波形测试的准确性。

本发明授权芯片波形去嵌方法、装置、电子设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片波形去嵌方法，其特征在于，包括： 根据LPDDR5芯片的布局，设计转接板；所述转接板的表面设置有表面焊盘，所述转接板的底面设置有底面焊盘，所述表面焊盘与所述底面焊盘通过导通孔连接； 获取第一测试电路板和第二测试电路板； 将第一LPDDR5芯片焊接在所述转接板的所述表面焊盘，将所述转接板的底面焊盘焊接在所述第一测试电路板，使所述第一LPDDR5芯片通过所述转接板与所述第一测试电路板连接； 将第二LPDDR5芯片焊接在所述第二测试电路板的表面； 通过示波器获取所述第一测试电路板的第一芯片波形，并对所述第一芯片波形进行快速傅里叶计算，获得第一频域信号； 通过示波器获取所述第二测试电路板的第二芯片波形，并对所述第二芯片波形进行快速傅里叶计算，获得第二频域信号； 根据所述第一频域信号和所述第二频域信号，获得所述转接板的第一传递函数； 根据所述第一频域信号和所述第一传递函数，获得第三频域信号； 对所述第三频域信号进行逆傅里叶变换，获得LPDDR5芯片的第一测试波形； 所述根据所述第一频域信号和所述第一传递函数，获得第三频域信号，包括： 对所述第一传递函数进行逆运算，获得传递逆函数； 对所述第一频域信号与所述传递逆函数进行卷积运算，获得所述第三频域信号； 所述方法还包括： 在仿真软件内导入所述转接板的设计文件，并选择需要测试的线路走线； 通过所述仿真软件获取所述转接板的S参数； 将所述S参数输入所述示波器，使所述示波器根据所述S参数获取所述转接板的第二传递函数； 对所述第一频域信号与所述第二传递函数进行反卷积运算，获得第四频域信号； 对所述第四频域信号进行逆傅里叶变换，获得LPDDR5芯片的第二测试波形。

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